印制电路信息
印製電路信息
인제전로신식
PRINTED CIRCUIT INFORMATION
2013年
2期
18-20
,共3页
王跃峰%王金来%周乃正%信峰
王躍峰%王金來%週迺正%信峰
왕약봉%왕금래%주내정%신봉
正交试验%碱性蚀刻液%氯化铜%蚀刻速率%影响因素
正交試驗%堿性蝕刻液%氯化銅%蝕刻速率%影響因素
정교시험%감성식각액%록화동%식각속솔%영향인소
Orthogonal Experiment%Alkaline Etching Solution%CuCl2%Etching Rate%Influencing Factors
采用正交试验方法,研究了碱性氯化铜蚀刻液中(Cu2+)、(Cl-)、pH值、及蚀刻液温度对铜箔蚀刻速率的影响规律.结果表明:在因素水平范围内,对蚀刻速率影响的大小顺序为蚀刻液温度>Cu2+浓度>pH值>Cl-浓度,最佳蚀刻工艺条件为(Cu2+)=100g/L,(Cl-)=120g/L,pH=8.5,T=50℃,静态蚀刻速率可达8.76mm/min.
採用正交試驗方法,研究瞭堿性氯化銅蝕刻液中(Cu2+)、(Cl-)、pH值、及蝕刻液溫度對銅箔蝕刻速率的影響規律.結果錶明:在因素水平範圍內,對蝕刻速率影響的大小順序為蝕刻液溫度>Cu2+濃度>pH值>Cl-濃度,最佳蝕刻工藝條件為(Cu2+)=100g/L,(Cl-)=120g/L,pH=8.5,T=50℃,靜態蝕刻速率可達8.76mm/min.
채용정교시험방법,연구료감성록화동식각액중(Cu2+)、(Cl-)、pH치、급식각액온도대동박식각속솔적영향규률.결과표명:재인소수평범위내,대식각속솔영향적대소순서위식각액온도>Cu2+농도>pH치>Cl-농도,최가식각공예조건위(Cu2+)=100g/L,(Cl-)=120g/L,pH=8.5,T=50℃,정태식각속솔가체8.76mm/min.
Using orthogonal experiment, the effects of (Cu2+), (Cl-), pH value and etching solution temperature in alkaline copper chloride solution influencing etching rate were studied. The results show that the sequence of influencing etching rate are etching solution temperature, (Cu2+), (Cl-) and pH, in the range of the factors. The optimal etching process conditions are (Cu2+)=100g/L, (Cl-)=120g/L, pH=8.5, T=50℃and the rate of static etching is up to 8.76μm/min.
