中国科技纵横
中國科技縱橫
중국과기종횡
CHINA SCIENCE & TECHNOLOGY PANORAMA MAGAZINE
2012年
22期
10-11
,共2页
氮化镓%室温铁磁性%MOCVD
氮化鎵%室溫鐵磁性%MOCVD
담화가%실온철자성%MOCVD
磁性半导体材料与器件研究是自旋电子学研究中的一个重要方向,Mn掺杂GaN以及Fe掺杂GaN材料是磁性半导体材料研究领域的两个重要分支,本文中我们对这两个研究方向做了简要的分析与综述,同时我们用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长出Mn掺杂GaN材料以及Fe掺杂GaN材料,并对其结构以及磁学性能等进行了分析和讨论.
磁性半導體材料與器件研究是自鏇電子學研究中的一箇重要方嚮,Mn摻雜GaN以及Fe摻雜GaN材料是磁性半導體材料研究領域的兩箇重要分支,本文中我們對這兩箇研究方嚮做瞭簡要的分析與綜述,同時我們用金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)技術生長齣Mn摻雜GaN材料以及Fe摻雜GaN材料,併對其結構以及磁學性能等進行瞭分析和討論.
자성반도체재료여기건연구시자선전자학연구중적일개중요방향,Mn참잡GaN이급Fe참잡GaN재료시자성반도체재료연구영역적량개중요분지,본문중아문대저량개연구방향주료간요적분석여종술,동시아문용금속유궤물화학기상침적(MOCVD)기술생장출Mn참잡GaN재료이급Fe참잡GaN재료,병대기결구이급자학성능등진행료분석화토론.
