企业科技与发展
企業科技與髮展
기업과기여발전
ENTERPRISE SCIENCE AND TECHNOLOGY & DEVELOPMENT
2013年
1期
25-27
,共3页
沟槽%沟道%元胞%电阻%开关
溝槽%溝道%元胞%電阻%開關
구조%구도%원포%전조%개관
trench channel%cell%automata model%resistance%switch
沟槽式场效应管 Trench MOSFET 作为一种新型垂直结构器件,是在 VDMOS 的基础上发展起来的,属于高元胞密度器件,因其具有低导通电阻、低栅漏电荷密度的特点,所以功率损耗低、开关速度很快.文章通过对平面工艺和沟槽工艺2种场效应管结构进行比较,分析了沟槽式场效应管在缩小芯片面积和降低导通电阻方面的优势,并从应用的角度介绍了沟槽式场效应管在低压和开关方面的特点.
溝槽式場效應管 Trench MOSFET 作為一種新型垂直結構器件,是在 VDMOS 的基礎上髮展起來的,屬于高元胞密度器件,因其具有低導通電阻、低柵漏電荷密度的特點,所以功率損耗低、開關速度很快.文章通過對平麵工藝和溝槽工藝2種場效應管結構進行比較,分析瞭溝槽式場效應管在縮小芯片麵積和降低導通電阻方麵的優勢,併從應用的角度介紹瞭溝槽式場效應管在低壓和開關方麵的特點.
구조식장효응관 Trench MOSFET 작위일충신형수직결구기건,시재 VDMOS 적기출상발전기래적,속우고원포밀도기건,인기구유저도통전조、저책루전하밀도적특점,소이공솔손모저、개관속도흔쾌.문장통과대평면공예화구조공예2충장효응관결구진행비교,분석료구조식장효응관재축소심편면적화강저도통전조방면적우세,병종응용적각도개소료구조식장효응관재저압화개관방면적특점.
As a new vertical device, Trench MOSFET is developed on VDMOS. It base on high cell density device, and is featured by low on resistance and low gate charge. Thus, it has low power dissipation and fast switch speed. By comparing the differences between planer and Trench MOSFET, the paper analyzes the advantage on small die size and low on resis-tance, and then introduces on low voltage and switching application.
