四川兵工学报
四川兵工學報
사천병공학보
SICHUAN ORDNANCE JOURNAL
2014年
10期
121-124
,共4页
张子博%郝建华%许斌%陈宜文
張子博%郝建華%許斌%陳宜文
장자박%학건화%허빈%진의문
低噪声放大器%宽带%高线性%噪声抵消
低譟聲放大器%寬帶%高線性%譟聲牴消
저조성방대기%관대%고선성%조성저소
low-noise amplifier%wideband%highly linear%noise cancelling
基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺设计了一款应用于数字电视中的CMOS宽带高线性低噪声放大器.该电路采用传统宽带低噪声放大器的改进结构.为了提高LNA的线性度,采用伏尔特拉级数分析了电路的非线性分量,并修正了传统的噪声抵消电路用于抵消整个电路的非线性分量.基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺对其进行了设计,仿真结果表明:此LNA在50～860 MHz频带内,增益为12.7～13.3 dB;噪声系数最小仅为1.2 dB,在1.2V的电源电压下,工作电流为12.2 mA,并且其输入三阶交调点为9.7～14.2 dBm,取得了较高的线性度.
基于TSMC 0.13 μm CMOS工藝設計瞭一款應用于數字電視中的CMOS寬帶高線性低譟聲放大器.該電路採用傳統寬帶低譟聲放大器的改進結構.為瞭提高LNA的線性度,採用伏爾特拉級數分析瞭電路的非線性分量,併脩正瞭傳統的譟聲牴消電路用于牴消整箇電路的非線性分量.基于TSMC 0.13 μm CMOS工藝對其進行瞭設計,倣真結果錶明:此LNA在50～860 MHz頻帶內,增益為12.7～13.3 dB;譟聲繫數最小僅為1.2 dB,在1.2V的電源電壓下,工作電流為12.2 mA,併且其輸入三階交調點為9.7～14.2 dBm,取得瞭較高的線性度.
기우TSMC 0.13 μm CMOS공예설계료일관응용우수자전시중적CMOS관대고선성저조성방대기.해전로채용전통관대저조성방대기적개진결구.위료제고LNA적선성도,채용복이특랍급수분석료전로적비선성분량,병수정료전통적조성저소전로용우저소정개전로적비선성분량.기우TSMC 0.13 μm CMOS공예대기진행료설계,방진결과표명:차LNA재50～860 MHz빈대내,증익위12.7～13.3 dB;조성계수최소부위1.2 dB,재1.2V적전원전압하,공작전류위12.2 mA,병차기수입삼계교조점위9.7～14.2 dBm,취득료교고적선성도.
