材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2014年
22期
24-27
,共4页
董恒平%陈坤基%李伟%孙正凤%黄敏%段欢%曹燕%王友凤
董恆平%陳坤基%李偉%孫正鳳%黃敏%段歡%曹燕%王友鳳
동항평%진곤기%리위%손정봉%황민%단환%조연%왕우봉
非晶氮氧化硅薄膜%可调光致发光%缺陷态
非晶氮氧化硅薄膜%可調光緻髮光%缺陷態
비정담양화규박막%가조광치발광%결함태
a-SiNxOy film%tunable photoluminescence%defect state
利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在室温下制备出非晶氮氧化硅(a-SiNx Oy)薄膜.通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450～600nm的较宽波长范围内连续可调.对比a-SiNx薄膜和a-SiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态.由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65 eV处的禁带中.并且,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关.
利用等離子體增彊化學氣相澱積(PECVD)方法在室溫下製備齣非晶氮氧化硅(a-SiNx Oy)薄膜.通過調節薄膜中的Si/N比例,可使其光緻髮光峰位在450～600nm的較寬波長範圍內連續可調.對比a-SiNx薄膜和a-SiNxOy薄膜的髮光特性,髮現此薄膜髮光來源于由氧引入的新髮光缺陷態.由光吸收譜的測量結果可以推斷齣此髮光缺陷態在光吸收邊之下約0.65 eV處的禁帶中.併且,通過傅裏葉變換紅外光譜(FTIR)和X射線光電子能譜(XPS)測量,證實瞭這種新髮光缺陷態與薄膜中存在的O-Si-N鍵閤結構有關.
이용등리자체증강화학기상정적(PECVD)방법재실온하제비출비정담양화규(a-SiNx Oy)박막.통과조절박막중적Si/N비례,가사기광치발광봉위재450～600nm적교관파장범위내련속가조.대비a-SiNx박막화a-SiNxOy박막적발광특성,발현차박막발광래원우유양인입적신발광결함태.유광흡수보적측량결과가이추단출차발광결함태재광흡수변지하약0.65 eV처적금대중.병차,통과부리협변환홍외광보(FTIR)화X사선광전자능보(XPS)측량,증실료저충신발광결함태여박막중존재적O-Si-N건합결구유관.
