扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展
소묘근장광학현미기술재반도체재료표정영역응용적연구진전
Advances in Application of Scanning Near-field Optical Microscopy in the Field of Semiconductor Material Characterization
  • 万方数据
    材料导报 재료도보
    MATERIALS REVIEW
    2014年 23期 28-33 ,共6页

    陈芳%魏志鹏%刘国军%唐吉龙%房丹%方铉%高娴%赵海峰%王双鹏

    진방%위지붕%류국군%당길룡%방단%방현%고한%조해봉%왕쌍붕

    扫描近场光学显微技术%半导体材料%超高空间高分辨率 掃描近場光學顯微技術%半導體材料%超高空間高分辨率
    소묘근장광학현미기술%반도체재료%초고공간고분변솔
    scanning near-field optical microscopy%semiconductor material%super-high spatial resolution
    半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景.半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位.扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性.简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测.探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望.
    반도체재료급기광전기건여격광기、탐측기이급고속미파기건유착엄활적응용전경.반도체재료적결구화결함특성대기건성능기착지관중요적영향,연이대재료진행납미척도하적검측、표정무론시이론상환시기술화설비상도수요심입연구화발전,인차소묘근장광학현미기술재반도체재료표정영역유착무가체대적지위.소묘근장광학현미기술돌파료전통광학현미기술적연사분변솔겁한적한제,구유초고공간분변솔、초고탐측령민도등특점,병차시일충비접촉성탐측,구유무손상성.간요개소료소묘근장광학현미경적원리급재반도체재료연구중적응용,포괄양자정결구중적위착급결함적표정,반도체기건적표면복합속솔급확산장도적납미표정,이급반도체박막중적결함분포적검측.탐토료목전상관연구영역존재적주요문제,병대기발전추세화전경진행료전망.
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