强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2014年
12期
49-52
,共4页
苏雪琼%王丽%甘渝林%李宬汉
囌雪瓊%王麗%甘渝林%李宬漢
소설경%왕려%감투림%리성한
透明氧化物半导体%非晶IGZO薄膜%脉冲激光沉积%透明性%电子迁移率
透明氧化物半導體%非晶IGZO薄膜%脈遲激光沉積%透明性%電子遷移率
투명양화물반도체%비정IGZO박막%맥충격광침적%투명성%전자천이솔
transparent oxide semiconductors%amorphous IGZO films%pulsed laser deposition%transparency%electron mobility
利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1 Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试.通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件.
利用固相反應法製備瞭富銦含量在不同成分配比下的高質量InGaZnO陶瓷靶材,採用脈遲激光沉積法,在基片溫度為20℃、氧壓為1 Pa條件下,在石英玻璃襯底上生長瞭非晶InGaZnO薄膜,併對薄膜進行X射線衍射、透射吸收光譜、拉曼光譜與霍爾效應測試.通過對InGaZnO薄膜的測試錶徵,在較低溫度條件下,銦含量較高的薄膜樣品保持瞭非晶結構、可見光的高透明性和高電子遷移率,InGaZnO薄膜有望應用于電子器件.
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