微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2014年
6期
4-7
,共4页
杨大为%刘利芳%谯凤英%陆虹%潘立阳
楊大為%劉利芳%譙鳳英%陸虹%潘立暘
양대위%류리방%초봉영%륙홍%반립양
闪存%高压电路%电荷泵%总剂量辐射
閃存%高壓電路%電荷泵%總劑量輻射
섬존%고압전로%전하빙%총제량복사
Flash memory%High-voltage circuits%Charge pumping%Total Ionizing Dose(TID)
研究了闪存电路系统中高压电路的总剂量辐射效应（TID）。通过对内部高压电荷泵电路和高压负载电路的TID辐射效应测试研究，表明辐照后高压通路相关的存储阵列及高压晶体管漏电将造成电荷泵电路的负载电流过载失效，最终导致闪存电路编程或擦除操作失效。
研究瞭閃存電路繫統中高壓電路的總劑量輻射效應（TID）。通過對內部高壓電荷泵電路和高壓負載電路的TID輻射效應測試研究，錶明輻照後高壓通路相關的存儲陣列及高壓晶體管漏電將造成電荷泵電路的負載電流過載失效，最終導緻閃存電路編程或抆除操作失效。
연구료섬존전로계통중고압전로적총제량복사효응（TID）。통과대내부고압전하빙전로화고압부재전로적TID복사효응측시연구，표명복조후고압통로상관적존저진렬급고압정체관루전장조성전하빙전로적부재전류과재실효，최종도치섬존전로편정혹찰제조작실효。
TheTIDradiationdegradationofhigh-voltagecircuitsintheflashmemorycircuitsystem is studied.We evaluates the effect of TID radiation to the internal high -voltage charge pumpings and their periphery circuits.The results show that the functional failures of charge pumping circuits are induced by the increasing leakage of memory array and high-voltage transistors after radiation,and leads to operation failure from the programming.
