怀化学院学报
懷化學院學報
부화학원학보
JOURNAL OF HUAIHUA TEACHERS COLLEGE
2014年
11期
35-38
,共4页
GaSe1 - x Sx%密度函数理论%电子结构%光学性质
GaSe1 - x Sx%密度函數理論%電子結構%光學性質
GaSe1 - x Sx%밀도함수이론%전자결구%광학성질
GaSe1 - x Sx%DFT%electronic structure%optical properties
基于第一性原理密度泛函理论,采用局域密度近似的赝势平面波方法计算了掺硫元素红外光学材料GaSe 晶体的物性,包括晶体结构参数优化、微观电子结构和宏观光学性质。计算的纯 GaSe 晶格常数的结果与其他实验值较吻合,随着硫含量的增加 GaSe1- x Sx 晶格常数呈减小趋势。计算得到的电子带结构表明,GaSe1- x Sx 是直接带隙半导体材料,能带带隙宽带随着硫含量增加而逐步增加。通过分析计算所得的 GaSe1- x Sx 光吸收曲线发现该系列晶体具有良好的光学质量,随组分比增加,固溶体 GaSe1- x Sx 吸收曲线低能端光吸收限蓝移。
基于第一性原理密度汎函理論,採用跼域密度近似的贗勢平麵波方法計算瞭摻硫元素紅外光學材料GaSe 晶體的物性,包括晶體結構參數優化、微觀電子結構和宏觀光學性質。計算的純 GaSe 晶格常數的結果與其他實驗值較吻閤,隨著硫含量的增加 GaSe1- x Sx 晶格常數呈減小趨勢。計算得到的電子帶結構錶明,GaSe1- x Sx 是直接帶隙半導體材料,能帶帶隙寬帶隨著硫含量增加而逐步增加。通過分析計算所得的 GaSe1- x Sx 光吸收麯線髮現該繫列晶體具有良好的光學質量,隨組分比增加,固溶體 GaSe1- x Sx 吸收麯線低能耑光吸收限藍移。
기우제일성원리밀도범함이론,채용국역밀도근사적안세평면파방법계산료참류원소홍외광학재료GaSe 정체적물성,포괄정체결구삼수우화、미관전자결구화굉관광학성질。계산적순 GaSe 정격상수적결과여기타실험치교문합,수착류함량적증가 GaSe1- x Sx 정격상수정감소추세。계산득도적전자대결구표명,GaSe1- x Sx 시직접대극반도체재료,능대대극관대수착류함량증가이축보증가。통과분석계산소득적 GaSe1- x Sx 광흡수곡선발현해계렬정체구유량호적광학질량,수조분비증가,고용체 GaSe1- x Sx 흡수곡선저능단광흡수한람이。
The structural ,electronic ,and optical properties of the GaSe1 - xSx semiconductor are calculated using a first -principle density - functional theory (DFT ) method considering the exchange - correlation function within the local density approximation (LDA) .The calculated structural parameters of the unit cell of the pure GaSe is in favorable agreement with the experimental data ,while the lattice constants of the S doped - GaSe decreases with the increasing concentration of S elements . Results on band structure are presented ,the energy gaps all are found to be direct for this materials ,and found the band gaps of GaSe1 - x Sx increases with the the increasing concentration of S as well .The calculated optical absorption coefficient show consistent results that GaSe1 - x Sx crystals are excellent nonlinear optical material .