渤海大学学报(自然科学版)
渤海大學學報(自然科學版)
발해대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF BOHAI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2014年
4期
330-335
,共6页
李春然%佟蕾%闫石%史力斌
李春然%佟蕾%閆石%史力斌
리춘연%동뢰%염석%사력빈
CdSx Se1-x%第一性原理%电子结构%光学性质
CdSx Se1-x%第一性原理%電子結構%光學性質
CdSx Se1-x%제일성원리%전자결구%광학성질
CdSx Se1-x%first principles%electronic structure%optical properties
用密度泛函理论究了闪锌矿型三元合金体系CdSx Se1-x的晶体结构、电子结构和光学性质。计算了组分参数在0≤x≤1范围内CdSx Se1-x的电子结构、态密度和带隙,计算结果表明CdSx Se1-x为直接带隙半导体材料,其带隙随Se含量的增加而减小。分析了CdSx Se1-x的复介电函数和吸收系数等光学性质随光子能量变化的关系,随Se元素含量增加,各光学特性曲线向低能方向移动。
用密度汎函理論究瞭閃鋅礦型三元閤金體繫CdSx Se1-x的晶體結構、電子結構和光學性質。計算瞭組分參數在0≤x≤1範圍內CdSx Se1-x的電子結構、態密度和帶隙,計算結果錶明CdSx Se1-x為直接帶隙半導體材料,其帶隙隨Se含量的增加而減小。分析瞭CdSx Se1-x的複介電函數和吸收繫數等光學性質隨光子能量變化的關繫,隨Se元素含量增加,各光學特性麯線嚮低能方嚮移動。
용밀도범함이론구료섬자광형삼원합금체계CdSx Se1-x적정체결구、전자결구화광학성질。계산료조분삼수재0≤x≤1범위내CdSx Se1-x적전자결구、태밀도화대극,계산결과표명CdSx Se1-x위직접대극반도체재료,기대극수Se함량적증가이감소。분석료CdSx Se1-x적복개전함수화흡수계수등광학성질수광자능량변화적관계,수Se원소함량증가,각광학특성곡선향저능방향이동。
The electronic structure, electronic and optical properties of CdSx Se1 -x alloys were studied using the first-principles calculations based on the density functional theory ( DFT) .Electronic structure, density of states and energy bandgap for CdSx Se1-x were estimated in the range 0≤x≤1.It is observed that the direct bandgap Eg of CdSx Se1-x decreases with the increase of Se content.Furthermore, results for complex dielectric constants and absorption coefficients were also described.All optical characteristic curves of CdSx Se1-x slightly shift to low energy with the increase of Se content.