军民两用技术与产品
軍民兩用技術與產品
군민량용기술여산품
UNIVERSAL TECHNOLOGIES & PRODUCTS
2014年
13期
205-205
,共1页
VDMOS%牺牲氧化%BOE腐蚀
VDMOS%犧牲氧化%BOE腐蝕
VDMOS%희생양화%BOE부식
垂直双沟道场效应晶体管（VDMOS）产品制备过程，在生长完场氧化后，需要进行P+离子注入工艺，在注入之前生长的阻挡氧化层，通常称之为牺牲氧化层，因为在注入完成之后，该氧化层需要被腐蚀去除，本文研究了牺牲氧化层的腐蚀工艺选择过程。
垂直雙溝道場效應晶體管（VDMOS）產品製備過程，在生長完場氧化後，需要進行P+離子註入工藝，在註入之前生長的阻擋氧化層，通常稱之為犧牲氧化層，因為在註入完成之後，該氧化層需要被腐蝕去除，本文研究瞭犧牲氧化層的腐蝕工藝選擇過程。
수직쌍구도장효응정체관（VDMOS）산품제비과정，재생장완장양화후，수요진행P+리자주입공예，재주입지전생장적조당양화층，통상칭지위희생양화층，인위재주입완성지후，해양화층수요피부식거제，본문연구료희생양화층적부식공예선택과정。
