三明学院学报
三明學院學報
삼명학원학보
JOURNAL OF SANMING COLLEGE
2014年
4期
75-78
,共4页
BiCMOS%驱动放大器(DRA)%线性度%增益可控
BiCMOS%驅動放大器(DRA)%線性度%增益可控
BiCMOS%구동방대기(DRA)%선성도%증익가공
基于Jazz工艺,提出一种线性可控全集成SiGe BiCMOS驱动放大器(DRA),实现多种可调功率增益放大作用.电路采用全差分共射共基结构,通过调节CMOS电流镜偏置电路和SiGe-HBT管尺寸以及3bit控制位,实现1dB步长的可控增益.仿真结果显示:在10μA的带隙基准电流源以及3.3V的电源电压下,DRA实现八种可调功率增益,其线性度指标即输出1dB压缩点OP1dB＞3dBm,电路供电电流＜10mA,且电路输入输出匹配良好(S11与S22均小于-19dB).
基于Jazz工藝,提齣一種線性可控全集成SiGe BiCMOS驅動放大器(DRA),實現多種可調功率增益放大作用.電路採用全差分共射共基結構,通過調節CMOS電流鏡偏置電路和SiGe-HBT管呎吋以及3bit控製位,實現1dB步長的可控增益.倣真結果顯示:在10μA的帶隙基準電流源以及3.3V的電源電壓下,DRA實現八種可調功率增益,其線性度指標即輸齣1dB壓縮點OP1dB＞3dBm,電路供電電流＜10mA,且電路輸入輸齣匹配良好(S11與S22均小于-19dB).
기우Jazz공예,제출일충선성가공전집성SiGe BiCMOS구동방대기(DRA),실현다충가조공솔증익방대작용.전로채용전차분공사공기결구,통과조절CMOS전류경편치전로화SiGe-HBT관척촌이급3bit공제위,실현1dB보장적가공증익.방진결과현시:재10μA적대극기준전류원이급3.3V적전원전압하,DRA실현팔충가조공솔증익,기선성도지표즉수출1dB압축점OP1dB＞3dBm,전로공전전류＜10mA,차전로수입수출필배량호(S11여S22균소우-19dB).
