CAJ | 학술논문

报道了320×256元InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(InAs)/7 ML(GaSb),焦平面阵列光敏元尺寸为27 μm×27 μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100％截止波长为10.5 μm,峰值探测率为8.41×109 cmHz1/2W-,盲元率为2.6％,不均匀性为6.2％,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.
보도료320×256원InAs/GaSbⅡ류초정격장파홍외초평면진렬탐측기적연제화성능측시.채용분자속외연기술재GaSb츤저상생장초정격재료,기건채용PBIN결구,홍외흡수구결구위14 ML(InAs)/7 ML(GaSb),초평면진렬광민원척촌위27 μm×27 μm,중심거위30μm,통과각식형성태면、측변둔화화금속접촉전겁생장,이급여독출전로호련등공예,득도료320×256면진장파초평면탐측기.재77 K온도하측시,초평면기건적100％절지파장위10.5 μm,봉치탐측솔위8.41×109 cmHz1/2W-,맹원솔위2.6％,불균균성위6.2％,채용해초정격초평면기건득도료교위청석적연시성실온목표홍외열성상.