电子设计工程
電子設計工程
전자설계공정
ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
2014年
20期
31-34,38
,共5页
李建%刘宗信%王发年%李斌%陈桂杰
李建%劉宗信%王髮年%李斌%陳桂傑
리건%류종신%왕발년%리빈%진계걸
复频率参数完全匹配层%反射误差%弱无条件稳定%混合显隐式
複頻率參數完全匹配層%反射誤差%弱無條件穩定%混閤顯隱式
복빈솔삼수완전필배층%반사오차%약무조건은정%혼합현은식
complex frequency-shifted perfectly matched layer%reflection error%weakly conditionally stable FDTD%hybird implicit-explicit
文中将CPML引入3维弱无条件稳定算法HIE-FDTD中,详细推到了CPML在3维弱无条件稳定HIE-FDTD中的差分公式.为了验证CPML在3维HIE-FDTD中的吸波性能,建立了数值计算模型,并将CPML的吸波性能同其它几种常用的吸收边界条件进行了比较.结果显示,当将CPML层数设置为8时,其最大反射误差为-72 dB,远低于传统FDTD方法的反射误差.另外,当匹配层参数设置为α=0.05,可以在一个较大范围内选取κmax和σmax来实现最佳误差,从而使得在选值时易于预测反射情况.
文中將CPML引入3維弱無條件穩定算法HIE-FDTD中,詳細推到瞭CPML在3維弱無條件穩定HIE-FDTD中的差分公式.為瞭驗證CPML在3維HIE-FDTD中的吸波性能,建立瞭數值計算模型,併將CPML的吸波性能同其它幾種常用的吸收邊界條件進行瞭比較.結果顯示,噹將CPML層數設置為8時,其最大反射誤差為-72 dB,遠低于傳統FDTD方法的反射誤差.另外,噹匹配層參數設置為α=0.05,可以在一箇較大範圍內選取κmax和σmax來實現最佳誤差,從而使得在選值時易于預測反射情況.
문중장CPML인입3유약무조건은정산법HIE-FDTD중,상세추도료CPML재3유약무조건은정HIE-FDTD중적차분공식.위료험증CPML재3유HIE-FDTD중적흡파성능,건립료수치계산모형,병장CPML적흡파성능동기타궤충상용적흡수변계조건진행료비교.결과현시,당장CPML층수설치위8시,기최대반사오차위-72 dB,원저우전통FDTD방법적반사오차.령외,당필배층삼수설치위α=0.05,가이재일개교대범위내선취κmax화σmax래실현최가오차,종이사득재선치시역우예측반사정황.
