无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2014年
11期
2530-2536
,共7页
荧光粉%钛置换%晶体结构%光谱特性%SrAl2Si2O8∶Eu2+
熒光粉%鈦置換%晶體結構%光譜特性%SrAl2Si2O8∶Eu2+
형광분%태치환%정체결구%광보특성%SrAl2Si2O8∶Eu2+
phosphor%Ti4+-substitution%crystal structure%luminescent propertys%SrAl2Si2O8∶Eu2+
由高温固相反应制得Sr0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu2+(x=0～1.0)系列试样,研究了Ti4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响.Ti4+以类质同相替代Si4+进入基质晶格中,形成了连续固溶体,其晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V随Ti4+置换量呈线性递增.Ti4+置换Si4+对晶胞参数c的影响显著,b其次,a最小.荧光激发谱为宽带,位于230～400 nm,由267 nm、305 nm、350 nm和375 nm 4个峰拟合成,表观峰值位于351 nm;随着Ti4+置换量的增加,半高宽(FWHM)从105 nm减小到93 nm.发射光谱位于380～600 nm,表观峰值位于407 nm,可由406 nm和441nm两峰拟合而成并且随Ti4+置换量增加线性红移,Ti4+进入品格对长波长发射中心影响较少;Ti4+置换量为1.0时,表观发射峰位从407nm红移至417 nm;利用试样荧光光谱和Van Uitert经验公式,得出SrAl2Si2O8∶Eu2+中SP的配位数为9.随着Ti4+置换量Si4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,使得Eu2+所处的晶体场强度增强,发光中心Eu2+的5d能级分裂增大,造成Eu2+最低发射能级重心下移,两拟合谱峰峰位均呈线性红移.
由高溫固相反應製得Sr0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu2+(x=0～1.0)繫列試樣,研究瞭Ti4+置換Si4+對其晶體結構和光譜特性的影響.Ti4+以類質同相替代Si4+進入基質晶格中,形成瞭連續固溶體,其晶胞參數a,b,c,β和晶胞體積V隨Ti4+置換量呈線性遞增.Ti4+置換Si4+對晶胞參數c的影響顯著,b其次,a最小.熒光激髮譜為寬帶,位于230～400 nm,由267 nm、305 nm、350 nm和375 nm 4箇峰擬閤成,錶觀峰值位于351 nm;隨著Ti4+置換量的增加,半高寬(FWHM)從105 nm減小到93 nm.髮射光譜位于380～600 nm,錶觀峰值位于407 nm,可由406 nm和441nm兩峰擬閤而成併且隨Ti4+置換量增加線性紅移,Ti4+進入品格對長波長髮射中心影響較少;Ti4+置換量為1.0時,錶觀髮射峰位從407nm紅移至417 nm;利用試樣熒光光譜和Van Uitert經驗公式,得齣SrAl2Si2O8∶Eu2+中SP的配位數為9.隨著Ti4+置換量Si4+進入基質晶格,造成Eu-O距離變小,使得Eu2+所處的晶體場彊度增彊,髮光中心Eu2+的5d能級分裂增大,造成Eu2+最低髮射能級重心下移,兩擬閤譜峰峰位均呈線性紅移.
유고온고상반응제득Sr0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu2+(x=0～1.0)계렬시양,연구료Ti4+치환Si4+대기정체결구화광보특성적영향.Ti4+이류질동상체대Si4+진입기질정격중,형성료련속고용체,기정포삼수a,b,c,β화정포체적V수Ti4+치환량정선성체증.Ti4+치환Si4+대정포삼수c적영향현저,b기차,a최소.형광격발보위관대,위우230～400 nm,유267 nm、305 nm、350 nm화375 nm 4개봉의합성,표관봉치위우351 nm;수착Ti4+치환량적증가,반고관(FWHM)종105 nm감소도93 nm.발사광보위우380～600 nm,표관봉치위우407 nm,가유406 nm화441nm량봉의합이성병차수Ti4+치환량증가선성홍이,Ti4+진입품격대장파장발사중심영향교소;Ti4+치환량위1.0시,표관발사봉위종407nm홍이지417 nm;이용시양형광광보화Van Uitert경험공식,득출SrAl2Si2O8∶Eu2+중SP적배위수위9.수착Ti4+치환량Si4+진입기질정격,조성Eu-O거리변소,사득Eu2+소처적정체장강도증강,발광중심Eu2+적5d능급분렬증대,조성Eu2+최저발사능급중심하이,량의합보봉봉위균정선성홍이.
