微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2015年
1期
19-21,24
,共4页
外延%漂移%校正
外延%漂移%校正
외연%표이%교정
Epitaxial%Drifting%Correction
外延结构的生长特性决定了埋层图形在外延层上漂移的现象，这种现象会给工艺带来危害，导致产品失效。在实际工艺中，通常是通过一定的校正原则来抵消埋层漂移的影响。另外，最后还给出了隔离击穿电压的测试分析方法。
外延結構的生長特性決定瞭埋層圖形在外延層上漂移的現象，這種現象會給工藝帶來危害，導緻產品失效。在實際工藝中，通常是通過一定的校正原則來牴消埋層漂移的影響。另外，最後還給齣瞭隔離擊穿電壓的測試分析方法。
외연결구적생장특성결정료매층도형재외연층상표이적현상，저충현상회급공예대래위해，도치산품실효。재실제공예중，통상시통과일정적교정원칙래저소매층표이적영향。령외，최후환급출료격리격천전압적측시분석방법。
The phenomenon,buried layer graphics drifting on the layers, is decided by the characteristics of extensional structure,which will cause damage to process and result in product failure. In the process,a certain principle of correction is usually used to offset the effect of drift.In addition, the test and analysis methods of Isolation breakdown voltage is also described in this paper .
