电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2015年
3期
1-3
,共3页
秦跃利%何文杰%石磊%谢飞
秦躍利%何文傑%石磊%謝飛
진약리%하문걸%석뢰%사비
TaN%薄膜电阻%失效%功率加载%氧化%温度
TaN%薄膜電阻%失效%功率加載%氧化%溫度
TaN%박막전조%실효%공솔가재%양화%온도
TaN%film resistor%failure%power loading%oxidation%temperature
通过射频反应溅射，在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化，研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件，在环境温度为70℃，TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm，氧化铝基板厚度为0.125 mm的条件下，TaN薄膜电阻可以耐受4 W/mm2的功率密度，或者9.4 W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。
通過射頻反應濺射，在氧化鋁基闆上製備瞭TaN薄膜電阻。研究瞭TaN薄膜電阻在不同加載功率密度下錶麵溫度的變化，研究瞭高溫下TaN薄膜氧化所造成的電阻失效。按照混閤集成電路規範的測試條件，在環境溫度為70℃，TaN薄膜電阻的厚度為0.1μm，氧化鋁基闆厚度為0.125 mm的條件下，TaN薄膜電阻可以耐受4 W/mm2的功率密度，或者9.4 W/mm2的1min瞬時功率密度遲擊。
통과사빈반응천사，재양화려기판상제비료TaN박막전조。연구료TaN박막전조재불동가재공솔밀도하표면온도적변화，연구료고온하TaN박막양화소조성적전조실효。안조혼합집성전로규범적측시조건，재배경온도위70℃，TaN박막전조적후도위0.1μm，양화려기판후도위0.125 mm적조건하，TaN박막전조가이내수4 W/mm2적공솔밀도，혹자9.4 W/mm2적1min순시공솔밀도충격。
TaN film resistors were fabricated on the Al2O3 substrate by reactive sputtering. For TaN film resistor samples, the changes of the surface temperatures with different loading power densities were investigated. The failure of TaN film resistors under high temperature was analyzed, which can be ascribed to the oxidation of TaN. The TaN film resistors with the thickness of 0.1μm on 0.125 mm Al2O3 substrate can tolerate the power density of 4 W/mm2 or the pulse power density of 9.4 W/mm2 with the duration of 1 min at 70℃under the IC test specification.
