强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2015年
2期
178-181
,共4页
范瑛%郑思孝%陶萍%谭云
範瑛%鄭思孝%陶萍%譚雲
범영%정사효%도평%담운
磁控溅射%纳米晶粒%LaNiAl薄膜%渗氦
磁控濺射%納米晶粒%LaNiAl薄膜%滲氦
자공천사%납미정립%LaNiAl박막%삼양
magnetron co-sputtering%nano-crystal%LaNiAl films%helium charged
采用离子束辅助磁控溅射方法沉积出了纳米晶LaNiAl膜和纳米晶渗氦LaNiAl膜(膜厚约10μm),通过调节Ar-He气氛的比例可控制纳米晶膜中的含氦量(He/LaNiAl的原子分数5.7％～13.8％),通过该方法引入到LaNiAl金属薄膜中的氦量远高于采用球磨法制备的纳米LaNiAl粉中的含氦量.研究结果表明:渗氦LaNiAl膜中的氦含量(原子分数)可达13.9％,氦在膜的深度方向分布均匀;热解析分析恒温条件下沉积的渗氦膜的起始释放温度为848 K,最高释放温度为1407 K,主释放峰为1080 K,初步确定了氦主要是以团簇的形式存在于在纳米晶膜中.
採用離子束輔助磁控濺射方法沉積齣瞭納米晶LaNiAl膜和納米晶滲氦LaNiAl膜(膜厚約10μm),通過調節Ar-He氣氛的比例可控製納米晶膜中的含氦量(He/LaNiAl的原子分數5.7％～13.8％),通過該方法引入到LaNiAl金屬薄膜中的氦量遠高于採用毬磨法製備的納米LaNiAl粉中的含氦量.研究結果錶明:滲氦LaNiAl膜中的氦含量(原子分數)可達13.9％,氦在膜的深度方嚮分佈均勻;熱解析分析恆溫條件下沉積的滲氦膜的起始釋放溫度為848 K,最高釋放溫度為1407 K,主釋放峰為1080 K,初步確定瞭氦主要是以糰簇的形式存在于在納米晶膜中.
채용리자속보조자공천사방법침적출료납미정LaNiAl막화납미정삼양LaNiAl막(막후약10μm),통과조절Ar-He기분적비례가공제납미정막중적함양량(He/LaNiAl적원자분수5.7％～13.8％),통과해방법인입도LaNiAl금속박막중적양량원고우채용구마법제비적납미LaNiAl분중적함양량.연구결과표명:삼양LaNiAl막중적양함량(원자분수)가체13.9％,양재막적심도방향분포균균;열해석분석항온조건하침적적삼양막적기시석방온도위848 K,최고석방온도위1407 K,주석방봉위1080 K,초보학정료양주요시이단족적형식존재우재납미정막중.
