电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2014年
12期
33-36
,共4页
陈海波%吴建伟%李艳艳%谢儒彬%朱少立%顾祥
陳海波%吳建偉%李豔豔%謝儒彬%硃少立%顧祥
진해파%오건위%리염염%사유빈%주소립%고상
离子注入%SOI%NMOSFET%总剂量辐射
離子註入%SOI%NMOSFET%總劑量輻射
리자주입%SOI%NMOSFET%총제량복사
采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响.加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值电压产生漂移,漂移大小与引入电子陷阱的量有关.通过加固可以有效提高器件的抗总剂量辐射特性,电子陷阱的量对器件的抗辐射性能具有显著影响.
採用埋層改性工藝對部分耗儘SOI NMOS器件進行總劑量加固,通過測試器件在輻射前後的電學性能研究加固對SOI NMOS器件抗輻射特性的影響.加固在埋氧層中引入電子陷阱,輻射前在正負揹柵壓掃描時,電子陷阱可以釋放和俘穫電子,導緻揹柵閾值電壓產生漂移,漂移大小與引入電子陷阱的量有關.通過加固可以有效提高器件的抗總劑量輻射特性,電子陷阱的量對器件的抗輻射性能具有顯著影響.
채용매층개성공예대부분모진SOI NMOS기건진행총제량가고,통과측시기건재복사전후적전학성능연구가고대SOI NMOS기건항복사특성적영향.가고재매양층중인입전자함정,복사전재정부배책압소묘시,전자함정가이석방화부획전자,도치배책역치전압산생표이,표이대소여인입전자함정적량유관.통과가고가이유효제고기건적항총제량복사특성,전자함정적량대기건적항복사성능구유현저영향.
