电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2014年
12期
25-28
,共4页
0.18 μm BCD工艺%LogicEE IP%SAB膜%数据保持力
0.18 μm BCD工藝%LogicEE IP%SAB膜%數據保持力
0.18 μm BCD공예%LogicEE IP%SAB막%수거보지력
研究表明,0.18 μm BCD工艺中SAB膜的厚度对LogicEE IP的数据保持力特性有重大影响.SAB膜越厚,LogicEE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么LogicEE IP的数据保持力将会失效.因此适当的SAB膜厚度对保证LogicEE IP的数据保持力通过合格性测试非常重要.主要研究在标准工艺条件下,通过3种SAB膜厚(标准厚度55 nm、80 nm和100 nm)、老衬底(标准厚度55 nm)、新衬底延长清洗时间(标准厚度55 nm)以及新衬底新生长材料的SAB膜(标准厚度55 nm)等试验,最终确定了在华虹宏力0.18μm BCD工艺平台上,当SAB膜厚度为100 nm时,LogicEE IP核的数据保持力通过了JEDEC标准的合格性测试.
研究錶明,0.18 μm BCD工藝中SAB膜的厚度對LogicEE IP的數據保持力特性有重大影響.SAB膜越厚,LogicEE IP的數據保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定呎吋,那麽LogicEE IP的數據保持力將會失效.因此適噹的SAB膜厚度對保證LogicEE IP的數據保持力通過閤格性測試非常重要.主要研究在標準工藝條件下,通過3種SAB膜厚(標準厚度55 nm、80 nm和100 nm)、老襯底(標準厚度55 nm)、新襯底延長清洗時間(標準厚度55 nm)以及新襯底新生長材料的SAB膜(標準厚度55 nm)等試驗,最終確定瞭在華虹宏力0.18μm BCD工藝平檯上,噹SAB膜厚度為100 nm時,LogicEE IP覈的數據保持力通過瞭JEDEC標準的閤格性測試.
연구표명,0.18 μm BCD공예중SAB막적후도대LogicEE IP적수거보지력특성유중대영향.SAB막월후,LogicEE IP적수거보지력특성월호;여과SAB막후도소우일정척촌,나요LogicEE IP적수거보지력장회실효.인차괄당적SAB막후도대보증LogicEE IP적수거보지력통과합격성측시비상중요.주요연구재표준공예조건하,통과3충SAB막후(표준후도55 nm、80 nm화100 nm)、로츤저(표준후도55 nm)、신츤저연장청세시간(표준후도55 nm)이급신츤저신생장재료적SAB막(표준후도55 nm)등시험,최종학정료재화홍굉력0.18μm BCD공예평태상,당SAB막후도위100 nm시,LogicEE IP핵적수거보지력통과료JEDEC표준적합격성측시.
