实验技术与管理
實驗技術與管理
실험기술여관리
EXPERIMENTAL TECHNOLOGY AND MANAGEMENT
2014年
12期
50-52
,共3页
王美玉%章国安%张振娟%施敏%朱晓军%朱友华
王美玉%章國安%張振娟%施敏%硃曉軍%硃友華
왕미옥%장국안%장진연%시민%주효군%주우화
AlGaN基深紫外发光二极管%AlN衬底%有机金属化学气相沉积法%电子挡层%出光功率
AlGaN基深紫外髮光二極管%AlN襯底%有機金屬化學氣相沉積法%電子擋層%齣光功率
AlGaN기심자외발광이겁관%AlN츤저%유궤금속화학기상침적법%전자당층%출광공솔
AlGaN-UV-LEDs%AlN template%MOCVD%electron blocking layer%light output power
通过有机金属化学气相沉积法在AlN/蓝宝石衬底上生长AlGaN基多量子阱结构的发光二极管(LEDs),其对应的发光峰值波长为264 nm(UV-C区).通过在活性区域和p型外延层之间插入1 nm厚的本征AlN层(起到电子挡层的作用),可以清楚地观测到有效抑制位于320 nm附件的寄生发光峰,推测这是电子溢出或Mg扩散所致.此外,发现了通过改变外延层的结构可以使LEDs的输出功率增长20倍以上.
通過有機金屬化學氣相沉積法在AlN/藍寶石襯底上生長AlGaN基多量子阱結構的髮光二極管(LEDs),其對應的髮光峰值波長為264 nm(UV-C區).通過在活性區域和p型外延層之間插入1 nm厚的本徵AlN層(起到電子擋層的作用),可以清楚地觀測到有效抑製位于320 nm附件的寄生髮光峰,推測這是電子溢齣或Mg擴散所緻.此外,髮現瞭通過改變外延層的結構可以使LEDs的輸齣功率增長20倍以上.
통과유궤금속화학기상침적법재AlN/람보석츤저상생장AlGaN기다양자정결구적발광이겁관(LEDs),기대응적발광봉치파장위264 nm(UV-C구).통과재활성구역화p형외연층지간삽입1 nm후적본정AlN층(기도전자당층적작용),가이청초지관측도유효억제위우320 nm부건적기생발광봉,추측저시전자일출혹Mg확산소치.차외,발현료통과개변외연층적결구가이사LEDs적수출공솔증장20배이상.
