上海金属
上海金屬
상해금속
SHANGHAI METALS
2015年
1期
33-38
,共6页
周艳%张礼峰%胡治宁%任维丽%钟云波%任忠鸣
週豔%張禮峰%鬍治寧%任維麗%鐘雲波%任忠鳴
주염%장례봉%호치저%임유려%종운파%임충명
强磁场%ZnGeP2%非线性%晶体生长
彊磁場%ZnGeP2%非線性%晶體生長
강자장%ZnGeP2%비선성%정체생장
High Magnetic Field%ZnGeP2%Nonlinear%Crystal Growth
按化学计量比并富P2％配料,通过改进的单温区合成法合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料,在无磁场、6T匀强磁场和上、下梯度磁场条件下,使用坩埚下降法成功生长出ZnGeP2单晶.研究表明,施加6T匀强磁场和上、下梯度磁场后,ZnGeP2晶体依次沿(116)、(112)和(220)取向,与无磁场下晶体取向不同;ZnGeP2晶体成分沿纵向方向在强磁场中比无磁场中波动明显;红外透过率在匀强和上梯度磁场中均有明显提高,下梯度磁场中变化不明显;电阻率在匀强和上梯度磁场中有所下降,而下梯度磁场中则有所升高.
按化學計量比併富P2％配料,通過改進的單溫區閤成法閤成齣高純、單相的ZnGeP2多晶原料,在無磁場、6T勻彊磁場和上、下梯度磁場條件下,使用坩堝下降法成功生長齣ZnGeP2單晶.研究錶明,施加6T勻彊磁場和上、下梯度磁場後,ZnGeP2晶體依次沿(116)、(112)和(220)取嚮,與無磁場下晶體取嚮不同;ZnGeP2晶體成分沿縱嚮方嚮在彊磁場中比無磁場中波動明顯;紅外透過率在勻彊和上梯度磁場中均有明顯提高,下梯度磁場中變化不明顯;電阻率在勻彊和上梯度磁場中有所下降,而下梯度磁場中則有所升高.
안화학계량비병부P2％배료,통과개진적단온구합성법합성출고순、단상적ZnGeP2다정원료,재무자장、6T균강자장화상、하제도자장조건하,사용감과하강법성공생장출ZnGeP2단정.연구표명,시가6T균강자장화상、하제도자장후,ZnGeP2정체의차연(116)、(112)화(220)취향,여무자장하정체취향불동;ZnGeP2정체성분연종향방향재강자장중비무자장중파동명현;홍외투과솔재균강화상제도자장중균유명현제고,하제도자장중변화불명현;전조솔재균강화상제도자장중유소하강,이하제도자장중칙유소승고.
