电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2015年
1期
94-98
,共5页
超浅结亚45nm MOSFET%二维电势半解析模型%亚阈值电流
超淺結亞45nm MOSFET%二維電勢半解析模型%亞閾值電流
초천결아45nm MOSFET%이유전세반해석모형%아역치전류
ultra shallow junctions sub-45nm MOSFETs%2-D potential semi-analytical model%sub-threshold current
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域，得到三个区域的定解问题，并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数，首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型，并给出了亚阈值电流模型。通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15～45nm MOSFET的二维电势和电流。
文章提齣將亞閾值區超淺結MOSFET的氧化層和Si襯底劃分為三箇區域，得到三箇區域的定解問題，併用特徵函數展開法求齣瞭因邊界銜接條件而產生的未知繫數，首次得到超淺結亞45nm MOSFET的二維電勢半解析模型，併給齣瞭亞閾值電流模型。通過與Medici模擬結果對比髮現該模型能夠準確模擬亞閾值下的超淺結15～45nm MOSFET的二維電勢和電流。
문장제출장아역치구초천결MOSFET적양화층화Si츤저화분위삼개구역，득도삼개구역적정해문제，병용특정함수전개법구출료인변계함접조건이산생적미지계수，수차득도초천결아45nm MOSFET적이유전세반해석모형，병급출료아역치전류모형。통과여Medici모의결과대비발현해모형능구준학모의아역치하적초천결15～45nm MOSFET적이유전세화전류。
Three definite-solutions problems ,which are divided from the oxide layer and Si substrate for ultra shallow junc-tions MOSFETs ,are presented .A 2-D potential analytical model for the Sub-45nm MOSFETs with ultra shallow junctions ,which the unknowns can be solved by the eigenfunctions expansion from the connected condition identity ,is derived .The sub-threshold current model is also presented .According to the comparison with MEDICI ,the model can accurately simulate the sub-threshold 2-D poten-tial and current of USJs 15-45nm MOSFETs .
