电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2015年
1期
37-43
,共7页
谭稀%蒲年年%徐冬梅%崔卫兵%王磊%朱宇鹏%柴彦科%刘肃
譚稀%蒲年年%徐鼕梅%崔衛兵%王磊%硃宇鵬%柴彥科%劉肅
담희%포년년%서동매%최위병%왕뢰%주우붕%시언과%류숙
VDMOS%大漏电%高热阻%空洞率%X-RAY%SEM%EDS
VDMOS%大漏電%高熱阻%空洞率%X-RAY%SEM%EDS
VDMOS%대루전%고열조%공동솔%X-RAY%SEM%EDS
VDMOS%excessive leakage current%large thermal resistance%void rate%X-RAY%SEM%EDS
现在被广泛应用的VDMOS器件存在诸多失效模式，主要表现为直流参数大漏电和热阻过高问题，限制了器件应用。通过对其失效器件进行X-RAY、SEM、EDS分析表征得到相关规律。研究结果表明空洞率相对较小时，漏电流大小、热阻值高低均与空洞率成正相关关系，只是随空洞率增长的趋势有所变化。构成器件的不同材料膨胀系数与导热率不同以及空气导热率较低是空洞率引起热阻值改变的主要原因；高热阻加速了Al的电迁移和可动污染离子移动，最终导致器件漏电流增大。
現在被廣汎應用的VDMOS器件存在諸多失效模式，主要錶現為直流參數大漏電和熱阻過高問題，限製瞭器件應用。通過對其失效器件進行X-RAY、SEM、EDS分析錶徵得到相關規律。研究結果錶明空洞率相對較小時，漏電流大小、熱阻值高低均與空洞率成正相關關繫，隻是隨空洞率增長的趨勢有所變化。構成器件的不同材料膨脹繫數與導熱率不同以及空氣導熱率較低是空洞率引起熱阻值改變的主要原因；高熱阻加速瞭Al的電遷移和可動汙染離子移動，最終導緻器件漏電流增大。
현재피엄범응용적VDMOS기건존재제다실효모식，주요표현위직류삼수대루전화열조과고문제，한제료기건응용。통과대기실효기건진행X-RAY、SEM、EDS분석표정득도상관규률。연구결과표명공동솔상대교소시，루전류대소、열조치고저균여공동솔성정상관관계，지시수공동솔증장적추세유소변화。구성기건적불동재료팽창계수여도열솔불동이급공기도열솔교저시공동솔인기열조치개변적주요원인；고열조가속료Al적전천이화가동오염리자이동，최종도치기건루전류증대。
Commercialized VDMOS failed to meet designed values for many reasons. Usual problems are excessive leakage current and large thermal resistance. Failed VDMOS was characterized using X-RAY,SEM and EDS. The relationship between excessive leakage current, large thermal resistance and voids rate was acquired. The results show leakage current and thermal resistance increase in direct proportion to voids rate when voids rate keeps in a low level, while the ratio changes. We attribute this to different dilatation coefficient and thermal conductivity of each material,as well as low thermal conductivity of air. Moreover,large thermal resistance will facilitate migration of Al and polluted ion,which causes increasing leakage current in turn.
