东华理工大学学报（自然科学版）
東華理工大學學報（自然科學版）
동화리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF EAST CHINA INSTITUTE OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE)
2014年
4期
442-446
,共5页
徐小华%何娟美%尧莉%吕波%李群
徐小華%何娟美%堯莉%呂波%李群
서소화%하연미%요리%려파%리군
双离子束%基片%硅基%薄膜
雙離子束%基片%硅基%薄膜
쌍리자속%기편%규기%박막
dual ion beam sputtering%substrate%Si-based%thin film
采用双离子束溅射沉积法制备的掺杂硅基Si-SiO2和Al-Si-SiO2薄膜,实验中通过改变基片温度获得不同条件下的样品.测试发现,当基片温度低于450℃时,两种薄膜的XRD谱图中并未有明显的晶态峰存在,说明薄膜中并未形成晶态结构,样品的选区电子衍射花样的TEM测试结果也证明如此;当基片温度高于450℃时,XRD谱图中才呈现出几个微弱的晶态峰,说明薄膜中可能有Si或A1的晶粒出现.样品的XPS测试结果表明,Si-SiO2薄膜在温度较低时表现为欠氧富硅的结构SiOx(x ＜2),薄膜中的Si主要是以氧化物的形式存在,当基片温度高于450℃时,根据Si的XPS特征峰的硅双峰结构能够确定薄膜中的硅形成了较显著的硅的原子团簇.而对于Al-Si-SiO2薄膜,Al主要是以单质铝的形式存在,Si是以氧化物的形式存在,实验中可以通过改变靶材中铝片的面积大小,改变薄膜中的铝和硅的含量.
採用雙離子束濺射沉積法製備的摻雜硅基Si-SiO2和Al-Si-SiO2薄膜,實驗中通過改變基片溫度穫得不同條件下的樣品.測試髮現,噹基片溫度低于450℃時,兩種薄膜的XRD譜圖中併未有明顯的晶態峰存在,說明薄膜中併未形成晶態結構,樣品的選區電子衍射花樣的TEM測試結果也證明如此;噹基片溫度高于450℃時,XRD譜圖中纔呈現齣幾箇微弱的晶態峰,說明薄膜中可能有Si或A1的晶粒齣現.樣品的XPS測試結果錶明,Si-SiO2薄膜在溫度較低時錶現為欠氧富硅的結構SiOx(x ＜2),薄膜中的Si主要是以氧化物的形式存在,噹基片溫度高于450℃時,根據Si的XPS特徵峰的硅雙峰結構能夠確定薄膜中的硅形成瞭較顯著的硅的原子糰簇.而對于Al-Si-SiO2薄膜,Al主要是以單質鋁的形式存在,Si是以氧化物的形式存在,實驗中可以通過改變靶材中鋁片的麵積大小,改變薄膜中的鋁和硅的含量.
채용쌍리자속천사침적법제비적참잡규기Si-SiO2화Al-Si-SiO2박막,실험중통과개변기편온도획득불동조건하적양품.측시발현,당기편온도저우450℃시,량충박막적XRD보도중병미유명현적정태봉존재,설명박막중병미형성정태결구,양품적선구전자연사화양적TEM측시결과야증명여차;당기편온도고우450℃시,XRD보도중재정현출궤개미약적정태봉,설명박막중가능유Si혹A1적정립출현.양품적XPS측시결과표명,Si-SiO2박막재온도교저시표현위흠양부규적결구SiOx(x ＜2),박막중적Si주요시이양화물적형식존재,당기편온도고우450℃시,근거Si적XPS특정봉적규쌍봉결구능구학정박막중적규형성료교현저적규적원자단족.이대우Al-Si-SiO2박막,Al주요시이단질려적형식존재,Si시이양화물적형식존재,실험중가이통과개변파재중려편적면적대소,개변박막중적려화규적함량.
