电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2015年
2期
20-22,30
,共4页
IPCE%J-V曲线%SILAR次数%铟掺杂硫化镉%量子点太阳电池%光电转换效率
IPCE%J-V麯線%SILAR次數%銦摻雜硫化鎘%量子點太暘電池%光電轉換效率
IPCE%J-V곡선%SILAR차수%인참잡류화력%양자점태양전지%광전전환효솔
IPCE%J-V curve%SILAR cycles%In-doped-CdS%quantum dot sensitized solar cell%photoelectric conversion efficiency
以In掺杂CdS量子点太阳能电池为例，讨论了SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳能电池性能的影响。通过SEM、EDS、IPCE、紫外吸收光谱、J-V曲线、EIS等实验测试结果表明，当In 掺杂CdS的摩尔比固定在1：5时，随着SILAR 次数的增加，电池的短路电流密度、开路电压和光电转换效率都随着增加，当SILAR次数为6次时，In掺杂CdS的QDSCs光电转化效率达到了最大值（η=0.76%）。随着SILAR次数的继续增加，其光电转换效率将会下降。
以In摻雜CdS量子點太暘能電池為例，討論瞭SILAR次數對In摻雜CdS量子點敏化太暘能電池性能的影響。通過SEM、EDS、IPCE、紫外吸收光譜、J-V麯線、EIS等實驗測試結果錶明，噹In 摻雜CdS的摩爾比固定在1：5時，隨著SILAR 次數的增加，電池的短路電流密度、開路電壓和光電轉換效率都隨著增加，噹SILAR次數為6次時，In摻雜CdS的QDSCs光電轉化效率達到瞭最大值（η=0.76%）。隨著SILAR次數的繼續增加，其光電轉換效率將會下降。
이In참잡CdS양자점태양능전지위례，토론료SILAR차수대In참잡CdS양자점민화태양능전지성능적영향。통과SEM、EDS、IPCE、자외흡수광보、J-V곡선、EIS등실험측시결과표명，당In 참잡CdS적마이비고정재1：5시，수착SILAR 차수적증가，전지적단로전류밀도、개로전압화광전전환효솔도수착증가，당SILAR차수위6차시，In참잡CdS적QDSCs광전전화효솔체도료최대치（η=0.76%）。수착SILAR차수적계속증가，기광전전환효솔장회하강。
Taking In-doped-CdS quantum dot solar cell (QDSCs) for example, the effects of SILAR cycles on In-doped-CdS QDSCs were discussed. With these characterization results of SEM,EDS,IPCE,UV-Vis absorption spectroscopy,J-V curnes and EIS, finally it is concluded that when In-doped-CdS molar ratio is fixed at 1:5, the short circuit current density,open circuit voltage and photoelectric conversion efficiency of the In-doped-CdS QDSCs increase accordingly with SILAR cycles. When the SILAR cycles reaches 6, the photoelectric conversion efficiency of In-dope-CdS QDSCs gets the maximum value (η=0.76%). When the SILAR cycles increase gradually, photoelectric conversion efficiency of solar cell decreases.
