上海大学学报（自然科学版）
上海大學學報（自然科學版）
상해대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SHANGHAI UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION)
2014年
6期
689-693
,共5页
张帅%吕文辉%史伟民%黄璐%杨伟光%刘进%匡华慧%明秀春%沈心蔚
張帥%呂文輝%史偉民%黃璐%楊偉光%劉進%劻華慧%明秀春%瀋心蔚
장수%려문휘%사위민%황로%양위광%류진%광화혜%명수춘%침심위
硅纳米线阵列%无掩模工艺%光致发光
硅納米線陣列%無掩模工藝%光緻髮光
규납미선진렬%무엄모공예%광치발광
Si nanowire array%maskless process%photoluminescence
基于金属辅助硅化学刻蚀发展了一种无掩模选择性区域制备硅纳米线阵列的方法,并利用该方法成功制备了图形化的硅纳米线阵列.扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)分析表明,所制备的硅纳米线阵列是高质量的多孔微纳米结构,并利用拉曼光谱仪研究了室温下硅纳米线阵列的光致发光特性.结果表明,硅纳米线阵列可实现有效的光发射,发光波峰为663 nm.该方法工艺简单、有效,可潜在地应用于构筑硅基光电集成器件.
基于金屬輔助硅化學刻蝕髮展瞭一種無掩模選擇性區域製備硅納米線陣列的方法,併利用該方法成功製備瞭圖形化的硅納米線陣列.掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)分析錶明,所製備的硅納米線陣列是高質量的多孔微納米結構,併利用拉曼光譜儀研究瞭室溫下硅納米線陣列的光緻髮光特性.結果錶明,硅納米線陣列可實現有效的光髮射,髮光波峰為663 nm.該方法工藝簡單、有效,可潛在地應用于構築硅基光電集成器件.
기우금속보조규화학각식발전료일충무엄모선택성구역제비규납미선진렬적방법,병이용해방법성공제비료도형화적규납미선진렬.소묘전자현미경(scanning electron microscope,SEM)분석표명,소제비적규납미선진렬시고질량적다공미납미결구,병이용랍만광보의연구료실온하규납미선진렬적광치발광특성.결과표명,규납미선진렬가실현유효적광발사,발광파봉위663 nm.해방법공예간단、유효,가잠재지응용우구축규기광전집성기건.
