材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2014年
12期
34-38
,共5页
TiO2薄膜%溅射%316L不锈钢%微观结构%耐腐蚀性
TiO2薄膜%濺射%316L不鏽鋼%微觀結構%耐腐蝕性
TiO2박막%천사%316L불수강%미관결구%내부식성
TiO2 thin film%sputtering%316L stainless steel%microstructure%corrosion resistance
采用溅射法在石英和316L不锈钢衬底上制备TiO2薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)观察薄膜的微观结构和表面形貌.结果表明:沉积后的TiO2薄膜表面均匀、致密,为锐钛矿结构.600℃退火后,薄膜中有金红石相生成.基于透射谱,计算得到的薄膜光学带隙在3.2eV左右.在PBS模拟体液中,测试材料的动电位极化曲线.结果显示,沉积TiO2薄膜后,材料的耐腐蚀性得到改善.退火后,TiO2薄膜的自腐蚀电位正向移动94mV,自腐蚀电流最小,为4.828μA·cm-2.
採用濺射法在石英和316L不鏽鋼襯底上製備TiO2薄膜.採用X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)觀察薄膜的微觀結構和錶麵形貌.結果錶明:沉積後的TiO2薄膜錶麵均勻、緻密,為銳鈦礦結構.600℃退火後,薄膜中有金紅石相生成.基于透射譜,計算得到的薄膜光學帶隙在3.2eV左右.在PBS模擬體液中,測試材料的動電位極化麯線.結果顯示,沉積TiO2薄膜後,材料的耐腐蝕性得到改善.退火後,TiO2薄膜的自腐蝕電位正嚮移動94mV,自腐蝕電流最小,為4.828μA·cm-2.
채용천사법재석영화316L불수강츤저상제비TiO2박막.채용X사선연사의(XRD)、소묘전경(SEM)、원자력현미경(AFM)관찰박막적미관결구화표면형모.결과표명:침적후적TiO2박막표면균균、치밀,위예태광결구.600℃퇴화후,박막중유금홍석상생성.기우투사보,계산득도적박막광학대극재3.2eV좌우.재PBS모의체액중,측시재료적동전위겁화곡선.결과현시,침적TiO2박막후,재료적내부식성득도개선.퇴화후,TiO2박막적자부식전위정향이동94mV,자부식전류최소,위4.828μA·cm-2.
