河北科技师范学院学报
河北科技師範學院學報
하북과기사범학원학보
JOURNAL OF HEBEI NORMAL UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY
2014年
4期
56-61
,共6页
Mg2Si半导体%单轴应变%第一性原理
Mg2Si半導體%單軸應變%第一性原理
Mg2Si반도체%단축응변%제일성원리
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Mg2 Si半导体沿[001]方向单轴应变下的结构、力学性质以及电子性质.计算结果表明:无应变时晶格参数和弹性常数与其他理论及实验值吻合的很好.施加应变后,其与应变方向垂直的晶格常数随应变值呈近似线性变化.通过应力-应变曲线和Born力学稳定性判据,确定了Mg2Si化合物在拉伸、压缩过程中的稳定范围和理想强度.Mg2Si的电子布居和电子态密度分析,表明Si-Mg之间的显示离子键特性,并给出了在拉伸压缩过程中Mg和Si原子轨道电子对总的态密度影响.
基于密度汎函理論的第一性原理計算方法研究瞭Mg2 Si半導體沿[001]方嚮單軸應變下的結構、力學性質以及電子性質.計算結果錶明:無應變時晶格參數和彈性常數與其他理論及實驗值吻閤的很好.施加應變後,其與應變方嚮垂直的晶格常數隨應變值呈近似線性變化.通過應力-應變麯線和Born力學穩定性判據,確定瞭Mg2Si化閤物在拉伸、壓縮過程中的穩定範圍和理想彊度.Mg2Si的電子佈居和電子態密度分析,錶明Si-Mg之間的顯示離子鍵特性,併給齣瞭在拉伸壓縮過程中Mg和Si原子軌道電子對總的態密度影響.
기우밀도범함이론적제일성원리계산방법연구료Mg2 Si반도체연[001]방향단축응변하적결구、역학성질이급전자성질.계산결과표명:무응변시정격삼수화탄성상수여기타이론급실험치문합적흔호.시가응변후,기여응변방향수직적정격상수수응변치정근사선성변화.통과응력-응변곡선화Born역학은정성판거,학정료Mg2Si화합물재랍신、압축과정중적은정범위화이상강도.Mg2Si적전자포거화전자태밀도분석,표명Si-Mg지간적현시리자건특성,병급출료재랍신압축과정중Mg화Si원자궤도전자대총적태밀도영향.
