计算机工程与科学
計算機工程與科學
계산궤공정여과학
COMPUTER ENGINEERING & SCIENCE
2014年
12期
2424-2428
,共5页
低功耗%基准源%可校准%亚阈值
低功耗%基準源%可校準%亞閾值
저공모%기준원%가교준%아역치
lower-power%bandgap reference%calibrated%subthreshold
提出一种应用于RFID芯片的低功耗、可校准基准源电路.设计采用了全MOS管以及电阻来实现,大部分管子都工作在亚阈值状态,同时可以产生基准电压和基准电流.该基准源采用了GSMC0.13 μm 1P5M工艺来实现,其最大工作电流不超过350 nA,供电电压为1.2V,并且在0.9 V～2.5 V电压下均可工作.在-45℃～65℃的工作温度下,电压基准源的温度系数为30.3 ppm/℃,电流基准源的温度系数为20.7 ppm/℃.
提齣一種應用于RFID芯片的低功耗、可校準基準源電路.設計採用瞭全MOS管以及電阻來實現,大部分管子都工作在亞閾值狀態,同時可以產生基準電壓和基準電流.該基準源採用瞭GSMC0.13 μm 1P5M工藝來實現,其最大工作電流不超過350 nA,供電電壓為1.2V,併且在0.9 V～2.5 V電壓下均可工作.在-45℃～65℃的工作溫度下,電壓基準源的溫度繫數為30.3 ppm/℃,電流基準源的溫度繫數為20.7 ppm/℃.
제출일충응용우RFID심편적저공모、가교준기준원전로.설계채용료전MOS관이급전조래실현,대부분관자도공작재아역치상태,동시가이산생기준전압화기준전류.해기준원채용료GSMC0.13 μm 1P5M공예래실현,기최대공작전류불초과350 nA,공전전압위1.2V,병차재0.9 V～2.5 V전압하균가공작.재-45℃～65℃적공작온도하,전압기준원적온도계수위30.3 ppm/℃,전류기준원적온도계수위20.7 ppm/℃.
