计算机工程与科学
計算機工程與科學
계산궤공정여과학
COMPUTER ENGINEERING & SCIENCE
2014年
12期
2361-2366
,共6页
李文晓%李建成%李聪%王震%尚靖
李文曉%李建成%李聰%王震%尚靖
리문효%리건성%리총%왕진%상정
灵敏放大器%射频识别%非易失性存储器%MTP%低功耗
靈敏放大器%射頻識彆%非易失性存儲器%MTP%低功耗
령민방대기%사빈식별%비역실성존저기%MTP%저공모
sense amplifier%radio-frequency identification(RFID)%nonvolatile memory (NVM)%multiple time programmable(MTP)%low power
提出了一种适用于无源射频识别RFID电子标签中多次可编程MTP非易失性存储器NVM的新型电流灵敏放大器结构.该电路在不增加面积的情况下具有低功耗、高速度、高可靠性和高灵敏度的优越性能.基于GSMC 0.13μm-CMOS工艺下的仿真结果表明,新型灵敏放大器在-40℃～80℃的环境下具有很高的读取速度,且能够工作在低电压(0.8 V)下.在1.2V工作电压、27℃室温下电路的读出延时是10.5 ns,平均功耗为6.1 μW@25MHz,分辨率可达到33 nA.
提齣瞭一種適用于無源射頻識彆RFID電子標籤中多次可編程MTP非易失性存儲器NVM的新型電流靈敏放大器結構.該電路在不增加麵積的情況下具有低功耗、高速度、高可靠性和高靈敏度的優越性能.基于GSMC 0.13μm-CMOS工藝下的倣真結果錶明,新型靈敏放大器在-40℃～80℃的環境下具有很高的讀取速度,且能夠工作在低電壓(0.8 V)下.在1.2V工作電壓、27℃室溫下電路的讀齣延時是10.5 ns,平均功耗為6.1 μW@25MHz,分辨率可達到33 nA.
제출료일충괄용우무원사빈식별RFID전자표첨중다차가편정MTP비역실성존저기NVM적신형전류령민방대기결구.해전로재불증가면적적정황하구유저공모、고속도、고가고성화고령민도적우월성능.기우GSMC 0.13μm-CMOS공예하적방진결과표명,신형령민방대기재-40℃～80℃적배경하구유흔고적독취속도,차능구공작재저전압(0.8 V)하.재1.2V공작전압、27℃실온하전로적독출연시시10.5 ns,평균공모위6.1 μW@25MHz,분변솔가체도33 nA.
