具有AlGaN/GaN超晶格的GaN基LED的PL分析
구유AlGaN/GaN초정격적GaN기LED적PL분석
Photolunminescence Analysis of GaN-based Light-Emitting Diodes with an Inserted p-AlGaN/GaN Superlattice Structure
  • 万方数据
    电子科技 전자과기
    IT AGE
    2015年 2期 62-64 ,共3页

    丁娟%王丹丹%韩孟序

    정연%왕단단%한맹서

    AlGaN/GaN超晶格%LED%GaN%PL AlGaN/GaN超晶格%LED%GaN%PL
    AlGaN/GaN초정격%LED%GaN%PL
    主要分析了具有p-ALGaN/GaN超晶格的360 nmGaN基LED的光学性能.插入的p-ALGaN/GaN超晶格结构可以看做是提高空穴注入的空穴限制层.经过PL测试发现,PL谱出现了明显的双峰以及蓝带发光,前者是由插入的超晶格引起,而蓝带荧光则是由超晶格中深能级N空住与Mg浅受主能级之前的辐射跃迁引起的.
    주요분석료구유p-ALGaN/GaN초정격적360 nmGaN기LED적광학성능.삽입적p-ALGaN/GaN초정격결구가이간주시제고공혈주입적공혈한제층.경과PL측시발현,PL보출현료명현적쌍봉이급람대발광,전자시유삽입적초정격인기,이람대형광칙시유초정격중심능급N공주여Mg천수주능급지전적복사약천인기적.
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