西南民族大学学报（自然科学版）
西南民族大學學報（自然科學版）
서남민족대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHWEST NATIONALITIES COLLEGE·NATURAL SCIENCE EDITION
2015年
1期
77-82
,共6页
彭廉钦%田晶%王域%陈金伟%王瑞林
彭廉欽%田晶%王域%陳金偉%王瑞林
팽렴흠%전정%왕역%진금위%왕서림
CdS/ZnO%异质结%介孔结构%光电转换效率%电荷分离%光解水
CdS/ZnO%異質結%介孔結構%光電轉換效率%電荷分離%光解水
CdS/ZnO%이질결%개공결구%광전전환효솔%전하분리%광해수
采用射频磁控溅射两步法制备出CdS/ZnO复合膜,并通过XRD、SEM、AFM、UV-vis、IPCE表征了制备的薄膜.SEM及AFM测试表明,相比于单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜的表面形成了更加明显的介孔结构;光电转换效率测试表明,相比单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜表现出更高的光电转换效率,0V(vs.Ag/AgCl)偏压下,IPCE值由36.1％ (410nm)增大到66.1％ (410nm).光电转换效率的增加一方面是由介孔表面引起的光吸收增加以及表面活性位增多引起;另一方面,两种半导体的复合形成异质结,异质结的形成促进了光生电子-空穴的分离,提高了薄膜的光电转换效率.
採用射頻磁控濺射兩步法製備齣CdS/ZnO複閤膜,併通過XRD、SEM、AFM、UV-vis、IPCE錶徵瞭製備的薄膜.SEM及AFM測試錶明,相比于單獨的CdS薄膜,CdS/ZnO複閤膜的錶麵形成瞭更加明顯的介孔結構;光電轉換效率測試錶明,相比單獨的CdS薄膜,CdS/ZnO複閤膜錶現齣更高的光電轉換效率,0V(vs.Ag/AgCl)偏壓下,IPCE值由36.1％ (410nm)增大到66.1％ (410nm).光電轉換效率的增加一方麵是由介孔錶麵引起的光吸收增加以及錶麵活性位增多引起;另一方麵,兩種半導體的複閤形成異質結,異質結的形成促進瞭光生電子-空穴的分離,提高瞭薄膜的光電轉換效率.
채용사빈자공천사량보법제비출CdS/ZnO복합막,병통과XRD、SEM、AFM、UV-vis、IPCE표정료제비적박막.SEM급AFM측시표명,상비우단독적CdS박막,CdS/ZnO복합막적표면형성료경가명현적개공결구;광전전환효솔측시표명,상비단독적CdS박막,CdS/ZnO복합막표현출경고적광전전환효솔,0V(vs.Ag/AgCl)편압하,IPCE치유36.1％ (410nm)증대도66.1％ (410nm).광전전환효솔적증가일방면시유개공표면인기적광흡수증가이급표면활성위증다인기;령일방면,량충반도체적복합형성이질결,이질결적형성촉진료광생전자-공혈적분리,제고료박막적광전전환효솔.
