上海电机学院学报
上海電機學院學報
상해전궤학원학보
JOURNAL OF SHANGHAI DIANJI UNIVERSITY
2015年
1期
24-28
,共5页
林成栋%潘三博%陈道杰%房亚军
林成棟%潘三博%陳道傑%房亞軍
림성동%반삼박%진도걸%방아군
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)%逆变器%高开关频率%寄生电感
碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiC-MOSFET)%逆變器%高開關頻率%寄生電感
탄화규금속양화물반도체장효응정체관(SiC-MOSFET)%역변기%고개관빈솔%기생전감
高频化和高功率密度化是电力电子装置发展的趋势,其中最核心的技术就是电力电子器件的高频化.随着应用中开关频率的进一步提高,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的体二极管正在成为瓶颈.SiC-MOSFET体二极管相对于SiC肖特基二极管,仍然偏大.介绍了一种新型的分离输出拓扑结构,在开关状态下,屏蔽体二极管的导通,降低反向恢复电流,从而降低SiC-MOSFET的开通损耗,同时抑制桥臂直通的风险.使用安捷伦功率器件分析仪B1505A对M34x功率模块进行了性能和效率测试,用VincotechISE软件对典型光伏逆变器的效率进行仿真分析.
高頻化和高功率密度化是電力電子裝置髮展的趨勢,其中最覈心的技術就是電力電子器件的高頻化.隨著應用中開關頻率的進一步提高,SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiC-MOSFET)的體二極管正在成為瓶頸.SiC-MOSFET體二極管相對于SiC肖特基二極管,仍然偏大.介紹瞭一種新型的分離輸齣拓撲結構,在開關狀態下,屏蔽體二極管的導通,降低反嚮恢複電流,從而降低SiC-MOSFET的開通損耗,同時抑製橋臂直通的風險.使用安捷倫功率器件分析儀B1505A對M34x功率模塊進行瞭性能和效率測試,用VincotechISE軟件對典型光伏逆變器的效率進行倣真分析.
고빈화화고공솔밀도화시전력전자장치발전적추세,기중최핵심적기술취시전력전자기건적고빈화.수착응용중개관빈솔적진일보제고,SiC금속양화물반도체장효응정체관(SiC-MOSFET)적체이겁관정재성위병경.SiC-MOSFET체이겁관상대우SiC초특기이겁관,잉연편대.개소료일충신형적분리수출탁복결구,재개관상태하,병폐체이겁관적도통,강저반향회복전류,종이강저SiC-MOSFET적개통손모,동시억제교비직통적풍험.사용안첩륜공솔기건분석의B1505A대M34x공솔모괴진행료성능화효솔측시,용VincotechISE연건대전형광복역변기적효솔진행방진분석.
