无线电工程
無線電工程
무선전공정
RADIO ENGINEERING OF CHINA
2015年
5期
57-60
,共4页
吕杰%刘林海%曹纯%李哲
呂傑%劉林海%曹純%李哲
려걸%류림해%조순%리철
电阻负反馈%宽带%无电感
電阻負反饋%寬帶%無電感
전조부반궤%관대%무전감
resistive negative feedback%wideband%non-inductive
基于电阻负反馈结构，结合理论推导，利用 SMIC 0??18μm RFCMOS 工艺，设计了一种1～3 GHz 的无电感型宽带低噪声放大器。仿真结果表明，宽带低噪声放大器在频带为1～3 GHz 时， S11＜－15 dB，增益＞14 dB，并在整个频带范围内的平坦度较好，增益波动＜2??6 dB，噪声系数＜3??6 dB。
基于電阻負反饋結構，結閤理論推導，利用 SMIC 0??18μm RFCMOS 工藝，設計瞭一種1～3 GHz 的無電感型寬帶低譟聲放大器。倣真結果錶明，寬帶低譟聲放大器在頻帶為1～3 GHz 時， S11＜－15 dB，增益＞14 dB，併在整箇頻帶範圍內的平坦度較好，增益波動＜2??6 dB，譟聲繫數＜3??6 dB。
기우전조부반궤결구，결합이론추도，이용 SMIC 0??18μm RFCMOS 공예，설계료일충1～3 GHz 적무전감형관대저조성방대기。방진결과표명，관대저조성방대기재빈대위1～3 GHz 시， S11＜－15 dB，증익＞14 dB，병재정개빈대범위내적평탄도교호，증익파동＜2??6 dB，조성계수＜3??6 dB。
Based on resistive negative feedback structure,a 1~3 GHz non?inductive wideband low noise amplifier is presented in the paper.Combined with theoretical analysis,the circuit is designed in SMIC 0.18 μm RF CMOS process.The simulation results show that the wideband low noise amplifier achieves -15 dB matching around the operating frequency,its conversion gain is over 14 dB with 2.6 dB ripple,and the noise figure is less than 3.6 dB.
