山东工业技术
山東工業技術
산동공업기술
Shandong Industrial Technology
2015年
6期
163-164
,共2页
曾勇平%张保平%应磊莹
曾勇平%張保平%應磊瑩
증용평%장보평%응뢰형
GaN%p型欧姆接触%ICP%XPS
GaN%p型歐姆接觸%ICP%XPS
GaN%p형구모접촉%ICP%XPS
本文主要介绍一种新型的改善GaN材料p型欧姆接触特性的方法，即采用电子束蒸发技术在InGaN层上沉积一层ITO薄膜，然后通过感应耦合等离子体技术（ICP）对ITO进行轰击。通过XPS测试分析可知，ICP轰击ITO过程中，ITO中的In原子扩散至p-GaN层。通过在p-GaN上方制作欧姆接触并进行I-V测试，结果表明In掺杂后样品p型欧姆接触特性得到改善。
本文主要介紹一種新型的改善GaN材料p型歐姆接觸特性的方法，即採用電子束蒸髮技術在InGaN層上沉積一層ITO薄膜，然後通過感應耦閤等離子體技術（ICP）對ITO進行轟擊。通過XPS測試分析可知，ICP轟擊ITO過程中，ITO中的In原子擴散至p-GaN層。通過在p-GaN上方製作歐姆接觸併進行I-V測試，結果錶明In摻雜後樣品p型歐姆接觸特性得到改善。
본문주요개소일충신형적개선GaN재료p형구모접촉특성적방법，즉채용전자속증발기술재InGaN층상침적일층ITO박막，연후통과감응우합등리자체기술（ICP）대ITO진행굉격。통과XPS측시분석가지，ICP굉격ITO과정중，ITO중적In원자확산지p-GaN층。통과재p-GaN상방제작구모접촉병진행I-V측시，결과표명In참잡후양품p형구모접촉특성득도개선。
