CAJ | 학술논문

阈值电压Vth决定了反型沟道的建立，也就意味着MOSFET工作的开启。因此，精确地测算出阈值电压Vth是对设备特性描述的关键所在。提取阈值电压的方法很多，本文主要介绍了常数电流法、线性外推法、平方外推法、跨导线性外推法、二阶求导法和分离C-V法六种阈值电压的提取方法的原理并在65nm工艺下进行了仿真验证。本文还分析了阈值电压的温度特性和阈值电压与栅长的关系，并对这六种方法进行了总结，得出线性外推法是最简便且更准确的阈值电压提取方法。
역치전압Vth결정료반형구도적건립，야취의미착MOSFET공작적개계。인차，정학지측산출역치전압Vth시대설비특성묘술적관건소재。제취역치전압적방법흔다，본문주요개소료상수전류법、선성외추법、평방외추법、과도선성외추법、이계구도법화분리C-V법륙충역치전압적제취방법적원리병재65nm공예하진행료방진험증。본문환분석료역치전압적온도특성화역치전압여책장적관계，병대저륙충방법진행료총결，득출선성외추법시최간편차경준학적역치전압제취방법。