增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
증강형GaN MOSFET적제비급기절연책적전하특성연구
Normally-off GaN MOSFET fabrication and gate charge characterization
  • 万方数据
    中国科技论文 중국과기논문
    Sciencepaper Online
    2015年 4期 420-423 ,共4页

    周桂林%张金城%沈震%杨帆%姚尧%钟健%郑越%张佰君%敖金平

    주계림%장금성%침진%양범%요요%종건%정월%장백군%오금평

    氮化镓%二氧化硅%场效应管%等离子增强化学气相沉积%陷阱%正向偏压 氮化鎵%二氧化硅%場效應管%等離子增彊化學氣相沉積%陷阱%正嚮偏壓
    담화가%이양화규%장효응관%등리자증강화학기상침적%함정%정향편압
    采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET).SiO2/GaNMOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaNMOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究.正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaNMOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用.
    채용ICP간법각식화PECVD침적기술,제비료증강형Si츤저SiO2/GaN MOS책장효응정체관(MOSFET).SiO2/GaNMOSFET전이특성곡선측시중출현역치전압불은정현상,침대기역치전압은정성문제,채용정향전압편치방법대SiO2/GaNMOSFET적절연책전하특성전개연구.정향전압편치후,기건적전이특성곡선화고빈C-V특성곡선균정향편이,연구표명:SiO2/GaN지간존재적계면태화고근SiO2/GaN계면적SiO2내부함정시조성SiO2/GaNMOSFET역치전압불은정적원인,실험연구결과동시표명담기1 000℃쾌속열퇴화(RTA)대SiO2내부함정유개선작용.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문