光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2015年
1期
70-72
,共3页
何海英%偰正才%罗怡韵%夏远凤%牛憨笨
何海英%偰正纔%囉怡韻%夏遠鳳%牛憨笨
하해영%설정재%라이운%하원봉%우감분
MgSnO薄膜%电子束蒸发%电学特性%光学特性
MgSnO薄膜%電子束蒸髮%電學特性%光學特性
MgSnO박막%전자속증발%전학특성%광학특성
MgSnO thin film%e-beam evaporation%electrical property%optical property
采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜.薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14～92.05％,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大.霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59 cm2V-1s-1.
採用電子束蒸髮鍍膜工藝製備一種新型非晶半導體MgSnO薄膜.薄膜在可見光區具有較高的透過率,其平均透過率範圍在86.14～92.05％,薄膜的光學帶隙隨著Mg含量的增加而增大.霍爾效應測試錶明MgSnO薄膜為n型半導體,Mg含量可在一定程度上控製薄膜的載流子濃度,MgSnO薄膜的載流子遷移率最高為1.59 cm2V-1s-1.
채용전자속증발도막공예제비일충신형비정반도체MgSnO박막.박막재가견광구구유교고적투과솔,기평균투과솔범위재86.14～92.05％,박막적광학대극수착Mg함량적증가이증대.곽이효응측시표명MgSnO박막위n형반도체,Mg함량가재일정정도상공제박막적재류자농도,MgSnO박막적재류자천이솔최고위1.59 cm2V-1s-1.
