膜科学与技术
膜科學與技術
막과학여기술
MEMBRANE SCIENCE AND TECHNOLOGY
2015年
1期
9-13,19
,共6页
杨靖%许好%李保松%霍翔%李悦
楊靖%許好%李保鬆%霍翔%李悅
양정%허호%리보송%곽상%리열
Pd/SiO2薄膜%溶胶-凝胶法%疏水性%热稳定性
Pd/SiO2薄膜%溶膠-凝膠法%疏水性%熱穩定性
Pd/SiO2박막%용효-응효법%소수성%열은정성
Pd/SiO2 films%sol-gel method%hydrophobicity%thermal stability
采用溶胶-凝胶法,在甲基化改性SiO2溶胶中掺杂PdCl2,制备Pd/SiO2有机-无机薄膜.通过XRD、红外光谱、TG-DTG分析、接触角以及SEM测试,考察该样品在N2气氛中的热稳定性.结果表明,Pd/SiO2膜材料经200℃以上温度焙烧后,样品中即出现了少量纳米金属Pd粒子,这些金属Pd为PdCl2还原所得.随着焙烧温度的升高,金属Pd粒子的衍射峰强度增加,膜材料中的Si-CH3吸收峰和Si-OH吸收峰减弱.样品中的Si-CH3吸收峰在750℃时完全消失.金属Pd的掺杂对SiO2膜材料的化学结构基本没影响.保持Pd/SiO2有机-无机薄膜及分离膜疏水性的最适宜焙烧温度为350℃.
採用溶膠-凝膠法,在甲基化改性SiO2溶膠中摻雜PdCl2,製備Pd/SiO2有機-無機薄膜.通過XRD、紅外光譜、TG-DTG分析、接觸角以及SEM測試,攷察該樣品在N2氣氛中的熱穩定性.結果錶明,Pd/SiO2膜材料經200℃以上溫度焙燒後,樣品中即齣現瞭少量納米金屬Pd粒子,這些金屬Pd為PdCl2還原所得.隨著焙燒溫度的升高,金屬Pd粒子的衍射峰彊度增加,膜材料中的Si-CH3吸收峰和Si-OH吸收峰減弱.樣品中的Si-CH3吸收峰在750℃時完全消失.金屬Pd的摻雜對SiO2膜材料的化學結構基本沒影響.保持Pd/SiO2有機-無機薄膜及分離膜疏水性的最適宜焙燒溫度為350℃.
채용용효-응효법,재갑기화개성SiO2용효중참잡PdCl2,제비Pd/SiO2유궤-무궤박막.통과XRD、홍외광보、TG-DTG분석、접촉각이급SEM측시,고찰해양품재N2기분중적열은정성.결과표명,Pd/SiO2막재료경200℃이상온도배소후,양품중즉출현료소량납미금속Pd입자,저사금속Pd위PdCl2환원소득.수착배소온도적승고,금속Pd입자적연사봉강도증가,막재료중적Si-CH3흡수봉화Si-OH흡수봉감약.양품중적Si-CH3흡수봉재750℃시완전소실.금속Pd적참잡대SiO2막재료적화학결구기본몰영향.보지Pd/SiO2유궤-무궤박막급분리막소수성적최괄의배소온도위350℃.
