电子制作
電子製作
전자제작
ELECTRONICS DIY
2015年
9期
49-49
,共1页
吴学坤%石丽颖%张明%李军%丁孝营%卢婷
吳學坤%石麗穎%張明%李軍%丁孝營%盧婷
오학곤%석려영%장명%리군%정효영%로정
回转法%氮化硅%粉体
迴轉法%氮化硅%粉體
회전법%담화규%분체
采用自行设计加工的回转氮化设备，以硅粉、高纯氮气、稀释剂为原料，研究了稀释剂种类对回转法制备氮化硅粉体的影响。结果表明：在硅粉中添加α-氮化硅作为稀释剂，加入30%的α-氮化硅作为稀释剂，在1300℃下氮化15h，制备出高质量氮化硅粉体，其中α含量高达94.59%，粉体平均粒径0.39μm。
採用自行設計加工的迴轉氮化設備，以硅粉、高純氮氣、稀釋劑為原料，研究瞭稀釋劑種類對迴轉法製備氮化硅粉體的影響。結果錶明：在硅粉中添加α-氮化硅作為稀釋劑，加入30%的α-氮化硅作為稀釋劑，在1300℃下氮化15h，製備齣高質量氮化硅粉體，其中α含量高達94.59%，粉體平均粒徑0.39μm。
채용자행설계가공적회전담화설비，이규분、고순담기、희석제위원료，연구료희석제충류대회전법제비담화규분체적영향。결과표명：재규분중첨가α-담화규작위희석제，가입30%적α-담화규작위희석제，재1300℃하담화15h，제비출고질량담화규분체，기중α함량고체94.59%，분체평균립경0.39μm。
