电子科技
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전자과기
IT AGE
2015年
4期
102-105
,共4页
於建生%桑磊%孙世滔%王华
於建生%桑磊%孫世滔%王華
어건생%상뢰%손세도%왕화
连续F类放大器%高效率%宽带%非线性电容
連續F類放大器%高效率%寬帶%非線性電容
련속F류방대기%고효솔%관대%비선성전용
分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容Cout与宽带功放效率的关系.通过建立非线性电路模型分析得出,利用C out控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能.选用GaN HEMT器件设计2～3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7％,功率附加效率(PAE) 78.3％,功率为40.75 dBm.在1 GHz带宽内PAE也可达65％以上.实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带GaN功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用.
分析瞭GaN(氮化鎵)HEMT(高電子遷移率晶體管)非線性輸齣電容Cout與寬帶功放效率的關繫.通過建立非線性電路模型分析得齣,利用C out控製漏極耑電壓電流波形能減輕對諧波阻抗的精確要求,使高效率阻抗區域擴大化,從而使寬帶功放匹配變為可能.選用GaN HEMT器件設計2～3 GHz頻段射頻功率放大器,實測結果為該放大器最高漏極效率(DE)為81.7％,功率附加效率(PAE) 78.3％,功率為40.75 dBm.在1 GHz帶寬內PAE也可達65％以上.實測結果驗證瞭原理分析的可靠性,提齣的方法不僅可用于寬帶GaN功率放大器設計,對其他類型的微波功放設計同樣有藉鑒作用.
분석료GaN(담화가)HEMT(고전자천이솔정체관)비선성수출전용Cout여관대공방효솔적관계.통과건립비선성전로모형분석득출,이용C out공제루겁단전압전류파형능감경대해파조항적정학요구,사고효솔조항구역확대화,종이사관대공방필배변위가능.선용GaN HEMT기건설계2～3 GHz빈단사빈공솔방대기,실측결과위해방대기최고루겁효솔(DE)위81.7％,공솔부가효솔(PAE) 78.3％,공솔위40.75 dBm.재1 GHz대관내PAE야가체65％이상.실측결과험증료원리분석적가고성,제출적방법불부가용우관대GaN공솔방대기설계,대기타류형적미파공방설계동양유차감작용.
