天津科技
天津科技
천진과기
TIANJIN SCIENCE & TECHNOLOGY
2015年
3期
18-20
,共3页
VGF%砷化镓%单晶生长%半绝缘
VGF%砷化鎵%單晶生長%半絕緣
VGF%신화가%단정생장%반절연
VCSEL(垂直腔面发射激光器)阵列是一种面发射的化合物半导体有源器件,已广泛应用于激光制导、激光测距等军事电子领域.为了减少发射单元之间的高频串扰,VCSEL阵列必须生长在高电阻率和低位错密度的砷化镓衬底上.通过采用VGF(垂直梯度冷凝法)生长7.62 cm砷化镓单晶,并选取合适的温度梯度(4℃/cm左右)和低位错籽晶,同时掺入一定剂量的高纯碳粉并选用适量的无水氧化硼作为液封剂,成功地研制出低位错密度的7.62 cm半绝缘砷化镓单晶材料.
VCSEL(垂直腔麵髮射激光器)陣列是一種麵髮射的化閤物半導體有源器件,已廣汎應用于激光製導、激光測距等軍事電子領域.為瞭減少髮射單元之間的高頻串擾,VCSEL陣列必鬚生長在高電阻率和低位錯密度的砷化鎵襯底上.通過採用VGF(垂直梯度冷凝法)生長7.62 cm砷化鎵單晶,併選取閤適的溫度梯度(4℃/cm左右)和低位錯籽晶,同時摻入一定劑量的高純碳粉併選用適量的無水氧化硼作為液封劑,成功地研製齣低位錯密度的7.62 cm半絕緣砷化鎵單晶材料.
VCSEL(수직강면발사격광기)진렬시일충면발사적화합물반도체유원기건,이엄범응용우격광제도、격광측거등군사전자영역.위료감소발사단원지간적고빈천우,VCSEL진렬필수생장재고전조솔화저위착밀도적신화가츤저상.통과채용VGF(수직제도냉응법)생장7.62 cm신화가단정,병선취합괄적온도제도(4℃/cm좌우)화저위착자정,동시참입일정제량적고순탄분병선용괄량적무수양화붕작위액봉제,성공지연제출저위착밀도적7.62 cm반절연신화가단정재료.
