微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2015年
2期
1-3,6
,共4页
全耗尽绝缘体上硅技术%节能%低功耗%低电压%特征尺寸%缩比
全耗儘絕緣體上硅技術%節能%低功耗%低電壓%特徵呎吋%縮比
전모진절연체상규기술%절능%저공모%저전압%특정척촌%축비
Full Depletion SOI%Energy saving%Low power%Low voltage%Feature size%Scaling down
大多数的电子产品都面临着节能问题，特别是移动电子产品和空间应用，需要集成电路在低电压和低功耗下工作。体硅，甚至 PD －SOI（部分耗尽绝缘体硅）CMOS 电路，在这些方面遇到很大的挑战。FD －SOI，即全耗尽绝缘体硅技术是一个非常好的选择。当器件特征尺寸缩比到纳米级时，FD －SOI 的节能优势更加突出。介绍 FD －SOI 的优点、应用及在中国发展的机遇。
大多數的電子產品都麵臨著節能問題，特彆是移動電子產品和空間應用，需要集成電路在低電壓和低功耗下工作。體硅，甚至 PD －SOI（部分耗儘絕緣體硅）CMOS 電路，在這些方麵遇到很大的挑戰。FD －SOI，即全耗儘絕緣體硅技術是一箇非常好的選擇。噹器件特徵呎吋縮比到納米級時，FD －SOI 的節能優勢更加突齣。介紹 FD －SOI 的優點、應用及在中國髮展的機遇。
대다수적전자산품도면림착절능문제，특별시이동전자산품화공간응용，수요집성전로재저전압화저공모하공작。체규，심지 PD －SOI（부분모진절연체규）CMOS 전로，재저사방면우도흔대적도전。FD －SOI，즉전모진절연체규기술시일개비상호적선택。당기건특정척촌축비도납미급시，FD －SOI 적절능우세경가돌출。개소 FD －SOI 적우점、응용급재중국발전적궤우。
Most of the electronic products are facing with the problem of energy saving.The mobile electronic products and space applications in particular require low voltage and low power integrated circuits.The development for BULK Si,even PD -SOI CMOS,in these aspects,encounters a great challenge.FD -SOI,namely full depletion silicon on insulator,is a very good alternative.When devices further scale down to the nanometer level,the advantage of energy saving of FD -SOI is more prominent. This paper introduces advantages and applications of FD -SOI as well as its development opportunity in China.
