无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2015年
4期
649-658
,共10页
贺仲兵%刘少友%闵宗义%杨红芸%聂信
賀仲兵%劉少友%閔宗義%楊紅蕓%聶信
하중병%류소우%민종의%양홍예%섭신
硫掺杂%二氧化锡%固相合成%可见光降解%百草枯
硫摻雜%二氧化錫%固相閤成%可見光降解%百草枯
류참잡%이양화석%고상합성%가견광강해%백초고
S-doped%SnO2%solid state synthesis%photocatalytic degradation%paraquat
以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为模板,采用低温固相反应法合成了硫掺杂二氧化锡(S-SnO2)纳米粉体材料,并用XRD、XPS、SEM、UV-Vis 、FTIR及HR-TEM等技术对材料进行了表征,探讨了S掺杂SnO2纳米材料对百草枯的可见光降解性能,分析了S掺杂效应的作用机理.结果表明,采用固相反应法所得SnO2及S-SnO2纳米材料的禁带宽度变窄,SDBS对材料的表面结构具有一定的调控作用.S是以S(Ⅳ)和S(Ⅵ)的形式进入SnO2晶格形成Sn1-xSxO2晶体结构而不是进入SnO2晶格间隙,Sn-O-S键的弯曲振动峰介于930～980 cm-1之间.S的掺杂使SnO2纳米材料表面活性增强,光催化降解百草枯的活性依次为SnO2＜SnO2(SDBS)＜S-SnO2＜S-SnO2(SDBS),2h内,S-SnO2(SDBS)样品对除草剂百草枯的光催化活性达95.2％,其主要原因是S-SnO2(SDBS)材料表面有更多的羟基和进入SnO2晶格的S.有利光生电荷的有效分离.
以十二烷基苯磺痠鈉(SDBS)為模闆,採用低溫固相反應法閤成瞭硫摻雜二氧化錫(S-SnO2)納米粉體材料,併用XRD、XPS、SEM、UV-Vis 、FTIR及HR-TEM等技術對材料進行瞭錶徵,探討瞭S摻雜SnO2納米材料對百草枯的可見光降解性能,分析瞭S摻雜效應的作用機理.結果錶明,採用固相反應法所得SnO2及S-SnO2納米材料的禁帶寬度變窄,SDBS對材料的錶麵結構具有一定的調控作用.S是以S(Ⅳ)和S(Ⅵ)的形式進入SnO2晶格形成Sn1-xSxO2晶體結構而不是進入SnO2晶格間隙,Sn-O-S鍵的彎麯振動峰介于930～980 cm-1之間.S的摻雜使SnO2納米材料錶麵活性增彊,光催化降解百草枯的活性依次為SnO2＜SnO2(SDBS)＜S-SnO2＜S-SnO2(SDBS),2h內,S-SnO2(SDBS)樣品對除草劑百草枯的光催化活性達95.2％,其主要原因是S-SnO2(SDBS)材料錶麵有更多的羥基和進入SnO2晶格的S.有利光生電荷的有效分離.
이십이완기분광산납(SDBS)위모판,채용저온고상반응법합성료류참잡이양화석(S-SnO2)납미분체재료,병용XRD、XPS、SEM、UV-Vis 、FTIR급HR-TEM등기술대재료진행료표정,탐토료S참잡SnO2납미재료대백초고적가견광강해성능,분석료S참잡효응적작용궤리.결과표명,채용고상반응법소득SnO2급S-SnO2납미재료적금대관도변착,SDBS대재료적표면결구구유일정적조공작용.S시이S(Ⅳ)화S(Ⅵ)적형식진입SnO2정격형성Sn1-xSxO2정체결구이불시진입SnO2정격간극,Sn-O-S건적만곡진동봉개우930～980 cm-1지간.S적참잡사SnO2납미재료표면활성증강,광최화강해백초고적활성의차위SnO2＜SnO2(SDBS)＜S-SnO2＜S-SnO2(SDBS),2h내,S-SnO2(SDBS)양품대제초제백초고적광최화활성체95.2％,기주요원인시S-SnO2(SDBS)재료표면유경다적간기화진입SnO2정격적S.유리광생전하적유효분리.
