预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响
예제층천사기압대CIGS박막결구급기건적영향
Influence of Sputtering Pressure on The Structure and Device Properties of CIGS Thin Films
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2015年 2期 192-199 ,共8页

    李光旻%刘玮%林舒平%李晓东%周志强%何青%张毅%刘芳芳%孙云

    리광민%류위%림서평%리효동%주지강%하청%장의%류방방%손운

    溅射气压%粗糙度%CIGS固溶体 濺射氣壓%粗糙度%CIGS固溶體
    천사기압%조조도%CIGS고용체
    sputtering pressure%roughness%CIGS solid solution
    研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响.通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体.高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势.经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS“两相分离”现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03％降低到5.02％.
    연구료금속예제층제비과정중천사기압대Cu(In1xGax)Se2(CIGS)박막급전지기건성능적영향.통과조절천사기압개변예제층적결정상태급소송도여조조도,재합괄적예제층결구하,활성서화열처리과정중,가사Ga유효지참입도박막중형성우질적CIGS고용체.고천사기압회사예제층과우치밀,정현비정태추세.경활성서화열처리후,CIGS박막용역산생CIS여CGS“량상분리”현상,종이도치CIGS박막태양전지적개로전압화전충인자강저,전지전환효솔유10.03％강저도5.02％.
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