电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2015年
2期
47-48
,共2页
陶灿辉%吴文婷%徐萌萌%丁力
陶燦輝%吳文婷%徐萌萌%丁力
도찬휘%오문정%서맹맹%정력
绝缘栅双极晶体管%窄脉冲%脉宽调制
絕緣柵雙極晶體管%窄脈遲%脈寬調製
절연책쌍겁정체관%착맥충%맥관조제
insulated gate bipolar transistor%narrow-pulse%pulse width modulation
绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块在运行过程中,若出现窄脉冲,会对IGBT造成较大影响,甚至损坏.主要是因为内部IGBT或体二极管单元在未完全开通情况下又重新关断,这一过程产生的di/dt要比正常完全开通再关断的情况大很多,从而对于IGBT单元会产生很大的关断电压尖峰,而对于体二极管单元而言,会产生很大的du/dt和振荡.在此以模块FF1000R17IP4为例,分析了出现窄脉冲的原因,然后给出了限制窄脉冲的方法.
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊在運行過程中,若齣現窄脈遲,會對IGBT造成較大影響,甚至損壞.主要是因為內部IGBT或體二極管單元在未完全開通情況下又重新關斷,這一過程產生的di/dt要比正常完全開通再關斷的情況大很多,從而對于IGBT單元會產生很大的關斷電壓尖峰,而對于體二極管單元而言,會產生很大的du/dt和振盪.在此以模塊FF1000R17IP4為例,分析瞭齣現窄脈遲的原因,然後給齣瞭限製窄脈遲的方法.
절연책쌍겁정체관(IGBT)모괴재운행과정중,약출현착맥충,회대IGBT조성교대영향,심지손배.주요시인위내부IGBT혹체이겁관단원재미완전개통정황하우중신관단,저일과정산생적di/dt요비정상완전개통재관단적정황대흔다,종이대우IGBT단원회산생흔대적관단전압첨봉,이대우체이겁관단원이언,회산생흔대적du/dt화진탕.재차이모괴FF1000R17IP4위례,분석료출현착맥충적원인,연후급출료한제착맥충적방법.
