计量技术
計量技術
계량기술
MEASUREMENT TECHNIQUE
2015年
4期
6-9
,共4页
高慧芳%任玲玲%贾亚斌
高慧芳%任玲玲%賈亞斌
고혜방%임령령%가아빈
掠入射X射线反射法%氮化硅%薄膜厚度
掠入射X射線反射法%氮化硅%薄膜厚度
략입사X사선반사법%담화규%박막후도
掠入射X射线反射法是一种薄膜厚度的无损测量方法。采用掠入射X射线反射法测量纳米尺度氮化硅薄膜厚度,拟合模型的建立和测量条件的选择是测量结果准确性的重要影响因素。研究建立了合理的拟合模型,并研究了不同功率、不同步进及每步不同停留时间对测量结果的影响。结果表明,电压40kV、电流40mA、步进0.004°、每步停留时间2s为最佳的测量条件。
掠入射X射線反射法是一種薄膜厚度的無損測量方法。採用掠入射X射線反射法測量納米呎度氮化硅薄膜厚度,擬閤模型的建立和測量條件的選擇是測量結果準確性的重要影響因素。研究建立瞭閤理的擬閤模型,併研究瞭不同功率、不同步進及每步不同停留時間對測量結果的影響。結果錶明,電壓40kV、電流40mA、步進0.004°、每步停留時間2s為最佳的測量條件。
략입사X사선반사법시일충박막후도적무손측량방법。채용략입사X사선반사법측량납미척도담화규박막후도,의합모형적건립화측량조건적선택시측량결과준학성적중요영향인소。연구건립료합리적의합모형,병연구료불동공솔、불동보진급매보불동정류시간대측량결과적영향。결과표명,전압40kV、전류40mA、보진0.004°、매보정류시간2s위최가적측량조건。