压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2015年
2期
307-310
,共4页
邵虹%江向平%傅小龙%涂娜%李小红
邵虹%江嚮平%傅小龍%塗娜%李小紅
소홍%강향평%부소룡%도나%리소홍
铋层状%介电性能%压电性能%铁电性能%Na0.5Bi4.5Ti4O15
鉍層狀%介電性能%壓電性能%鐵電性能%Na0.5Bi4.5Ti4O15
필층상%개전성능%압전성능%철전성능%Na0.5Bi4.5Ti4O15
bismuth layer structure%dielectric properties%piezoelectric properties%ferroelectric properties%Na0.5Bi4.5Ti4O15
采用固相烧结法制备了Na0.5Bi4.5Ti4-2xNbxTaxO15(NBTNT-x,0≤x≤0.06)铋层状压电陶瓷材料,研究了不同量Nb、Ta掺入对Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷结构和电性能的影响.结果表明,所有样品均为单一的铋层状结构.适量Nb,Ta掺入能细化陶瓷晶粒,提高其致密性,降低电导率σ和介电损耗tan δ;同时,居里温度TC随Nb、Ta掺入量的增加而降低,但均高于610℃;当x=0.02时,陶瓷样品电性能最佳,即压电常数d33=17 pC/N,机电耦合常数kp=4.19％,kt=18.10％,品质因数Qm=3 527,剩余极化强度Pr=10.50 μC/cm2.
採用固相燒結法製備瞭Na0.5Bi4.5Ti4-2xNbxTaxO15(NBTNT-x,0≤x≤0.06)鉍層狀壓電陶瓷材料,研究瞭不同量Nb、Ta摻入對Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷結構和電性能的影響.結果錶明,所有樣品均為單一的鉍層狀結構.適量Nb,Ta摻入能細化陶瓷晶粒,提高其緻密性,降低電導率σ和介電損耗tan δ;同時,居裏溫度TC隨Nb、Ta摻入量的增加而降低,但均高于610℃;噹x=0.02時,陶瓷樣品電性能最佳,即壓電常數d33=17 pC/N,機電耦閤常數kp=4.19％,kt=18.10％,品質因數Qm=3 527,剩餘極化彊度Pr=10.50 μC/cm2.
채용고상소결법제비료Na0.5Bi4.5Ti4-2xNbxTaxO15(NBTNT-x,0≤x≤0.06)필층상압전도자재료,연구료불동량Nb、Ta참입대Na0.5Bi4.5Ti4O15도자결구화전성능적영향.결과표명,소유양품균위단일적필층상결구.괄량Nb,Ta참입능세화도자정립,제고기치밀성,강저전도솔σ화개전손모tan δ;동시,거리온도TC수Nb、Ta참입량적증가이강저,단균고우610℃;당x=0.02시,도자양품전성능최가,즉압전상수d33=17 pC/N,궤전우합상수kp=4.19％,kt=18.10％,품질인수Qm=3 527,잉여겁화강도Pr=10.50 μC/cm2.
