压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2015年
2期
280-282
,共3页
王瑜%彭斌%李川%张万里%刘兴钊
王瑜%彭斌%李川%張萬裏%劉興釗
왕유%팽빈%리천%장만리%류흥쇠
TC4钛合金%中频磁控反应溅射%两步法%AlN薄膜%声表面波(SAW)器件
TC4鈦閤金%中頻磁控反應濺射%兩步法%AlN薄膜%聲錶麵波(SAW)器件
TC4태합금%중빈자공반응천사%량보법%AlN박막%성표면파(SAW)기건
TC4 titanium alloy%MF magnetron sputtering%two-step deposition process%AlN thin film%SAW device
采用中频磁控反应溅射,提出了在TC4钛合金基片上制备c轴取向AlN薄膜的两步法工艺.利用扫描电镜分析(SEM)、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面及断面形貌、晶体结构、表面粗糙度进行了表征.研究结果表明,利用该文提出的两步法工艺可在TC4钛合金衬底上制备出表面粗糙度为2.3 nm、c轴XRD摇摆曲线半高宽为4.1°的AlN薄膜,满足制作压电微机电系统(MEMS)器件或薄膜声表面波(SAW)和体声波器件的需求.
採用中頻磁控反應濺射,提齣瞭在TC4鈦閤金基片上製備c軸取嚮AlN薄膜的兩步法工藝.利用掃描電鏡分析(SEM)、X線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)對薄膜的錶麵及斷麵形貌、晶體結構、錶麵粗糙度進行瞭錶徵.研究結果錶明,利用該文提齣的兩步法工藝可在TC4鈦閤金襯底上製備齣錶麵粗糙度為2.3 nm、c軸XRD搖襬麯線半高寬為4.1°的AlN薄膜,滿足製作壓電微機電繫統(MEMS)器件或薄膜聲錶麵波(SAW)和體聲波器件的需求.
채용중빈자공반응천사,제출료재TC4태합금기편상제비c축취향AlN박막적량보법공예.이용소묘전경분석(SEM)、X선연사(XRD)、원자력현미경(AFM)대박막적표면급단면형모、정체결구、표면조조도진행료표정.연구결과표명,이용해문제출적량보법공예가재TC4태합금츤저상제비출표면조조도위2.3 nm、c축XRD요파곡선반고관위4.1°적AlN박막,만족제작압전미궤전계통(MEMS)기건혹박막성표면파(SAW)화체성파기건적수구.
